EUVL's shorter wavelength also increases flare, resulting in less than perfect image quality and increased line width roughness.
So to make fine pattern, a resist for extreme ultraviolet (EUV) lithography requires a small line edge roughness (LER) and a high sensitivity.
Requirement of EUV resist can be explained below the figure. 4. we can summary the requirements of EUV resist with four
대학 물리학과 현대 광학 이라는 수업에서 제출했던
광학과 관련된 최근의 기술에 대한 레포트입니다
EUV Lithography와 관련 광학 기술에 대한 기사 및 발췌 형식으로
광학 기술과 관련 기술의 응용 원리 및 수식 등이 설명되어 있습니다.
많은 도움이 되시길 바랍니다.
(4) Double patterning
The double patterning is divided into four parts, leading with wafer requirements and then two sets of lithographic requirements (Generic Pitch Splitting - Double Patterning Requirements Driven by MPU metal Half-Pitch and Generic Spacer Patterning Requirements - Driven by Flash). The lithography requirements are different for each process; the requirements for pitch splitti
ML2 means the maskless lithography. It is necessary to refinement process. Described above, "double / mutiful patterning" in additional cost savings as an alternative to be appropriate. Nano devices with decreasing the size of the unilateral use light to produce a mask for the lithography process takes time and cost. Small production of nano scale patterning process is suitable, and the suitable
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전