The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
100% 발광효율을 바꾸는 획기적인 방법
빛으로의 변환효율이 25%라는 것은 75%를 빛으로 쓰지 못하기 때문에 큰 손실이 아닐 수 없다. 그러나 만약 인광 여기상태로부터 열이 아닌 빛이 나온다면 전자가 전부 빛으로 변할 수 있게 된다. 이처럼 형광밖에 내지 못하는 유기물질(형광 물질)이 아니라 인광을
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layer, it causes entire curve of graph to shift to the [Figure 12] C-V graph shift by direction of bias
side. These charges are generated by ions came in the process of deposition of oxide layer. When the charges exist in between the substrate and interface, the value of Vfb and C-V curve will shift by amount of the charge divided by Cox of Ci. The amount of shifting decreases as the position of
Layer by layer??
•기판에 원하는 성질을 가지는 물질을 붙여서
박막을 형성하는 모든 기술들을 총칭하는 말이다.
•대부분 값싸고 쉽게 다양한 방법으로 2차원적 평면 구조(100나노미터 이하 크기의 표면)를 만들 수 있는 기술이다.
Spin coating
Dip coating
Langmuir Blodgett film
Self-assembled monolayers