TFT로의 응용이 활발히 연구되고 있다.
Swing은 transfer curve의 subthreshold영역에서 다음과 같
이 정의된다.
Swing값은 transfer curve의 sub-threshold 영역에 10배의
drain current를 변하게 하기 위해 필요한 gate voltage의
증가량이다. 이 swing값은 sub-threshold영역에서 Vgs의
값에 따라 얼마나 급격히 drain current가
(3)의 경우
기존 비정질 실리콘을 증착하는 조건에서 반응가스의 비율을 변화시키고 플라즈마의 출력을 100 W 정도로 높여서 다결정 실리콘을 직접 증착하는 방법이다. 이 경우에는 300 ℃내외 저온에서 다결정 실리콘이 짧은 시간동안 직접 증착되는 장점이 있으나, 결정화도가 낮고, 그레인의 크기가
TFT-LCD는 스위치가 on되는 시간에 원하는 전압을 화소에 공급한 후 스위치가 off되는 시간에는 화소가 완전히 고립되어 다음 스위치 on되는 시간까지 원하는 전압을 유지하는 active소자이다. TFT-LCD는 사용되는 반도체 층에 따라 a-Si TFT-LCD, poly-SiTFT-LCD, CdSe TFT-LCD로 구분되어 지며 현재에는 대화면화가 쉽고
1. 개요 : 개요와 목적
최근의 다양한 스마트 기기의 발전과 더불어 화면표시 기술, 즉 디스플레이 테크놀러지가 각광 받고 있다. 이는 디스플레이 기술이 단순히 고객에게 보여주는 시각적인 부분이 뿐 아니라, 기기 자체의 성능(화질, 응답속도, 배터리 소모량 등)과 제품 단가(생산 공정단가 등)를
1 서론
OLED는 현재 차세대 디스플레이 소자로 각광을 받고 있다. OLED의 경우 공정이 쉽고 공정 가격이 싸기 때문에 가격적이 면에서도 유리하다. 또한 특성이 좋고 organic물질의 경우 flexible한 장점을 가지고 있어서 나중에 flexible display로서의 가능성을 가질 수 있다. 그래서 OLED의 기술 개발이 필요하다