To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
Venture Leasing
고가의 장비가 요구되는 반도체 산업에 의해 발달
기업은 대여자를 통해 장비를 빌리고 몇 년의 기간에 걸쳐 상환 (대부분 3년)
장비에 대한 원금과 이자, warrant의 가치에 기초해 금액을 지급
기업은 기간의 만료시점에 잔존가치로 장비를 구입 가능
대여자는 언제든지 기업이 대여료
2. DSC와 Silicon solar cell의 비교
① 복사선의 입사각에 덜 민감하다.
그림 . 입사각의 함수로서 티타니아 태양전지의 표준 동작 효율(STA data)
법선 입사에서 효율을 100%라고 가정
② 넓은 온도범위에 걸쳐서 최적으로 동작할 수 있는 설계가 가능하다. 이와는 대조적으로 Silicon solar cell
Epitaxial wafer
웨이퍼 위에 기상성장법으로 실리콘단 결정막 증착
다양한 구조로 제작이 가능
epi 구조는 Bipolar IC의 Isolation 및 낮은 collector 저항 성능을 개선
미소결함의 발생을 억제
SOI(Silicon on insulator)
SOI wafer는 표면과 기층부 사이에 절연층을 인위적으로 형성시켜 절연체위에 형성된
3. Monocrystal Silicon Growth
단결정 규소 봉으로 불뤼는 성장된 실리콘 단결정을 제작하기 위한 과정을 결정 성장이라고 합니다. 웨이퍼 제조에 사용된 실리콘 단결정 인곳(ingot: 금속 또는 합금을 한번 녹인 다음 주형에 흘려넣어 굳힌 것)의 성장을 위해 오늘날 가장 널리 이용되는 기술은 Czochralsik(CZ