silicon dioxide or gallium arsenide wafer등의 기판에서 감광층을 선택적으로 노출시키기 위해 사용된다.
Wafer는 positive photoresist으로 개발되고, 노출된 부분은 화학적 과정으로 제거된다.
wafer 표면에 남겨진 모양은 노출에 의해 덮혀져 있던 부분이다.
TEM exposure
웨이퍼의 through hole은 TEM(투과전자현미
Ion ImplantationIonized dopant atoms are physically forced into the silicon crystal by accelerating them through high potentials (3 kV- 3 MV) toward the silicon wafer.
– Mass separator allows each implanter to run multiple
processes (B, P, BF2, As...)
– Low temperature (room temperature ~200 °C)
• can use photoresist as a mask
– Needs to be followed by an anneal
by lithium ion intercalation
Si has theoretical capacity of 4200mAh/g
Due to it’s large volume change, pulverization can be occurred.
Silicon has high-capacity but poor cycle stability
Carbon has low-capacity but good cycle stability
So silicon/carbon composites can have higher capacity than single carbon anode,
and better cycle stability than single silicon anode.
♯형광체(phosphor)
(1)형광체의 정의
전자 빔의 충격에 의해 발광하는 아주 작은 결정 입자의 집합체. 텔레비전 수상관에는 일반적으로 황화물(黃化物) 형광체(ZS 또는 ZS와 CdS의 혼합 결정에 소량의 Ag를 첨가한 것)가 많이 사용되고 컬러 수상관의 적색 발광용으로는 희토류(稀土類) 형광체(Y2O2 또는 Y2
silicon(반도체) 위에 oxide(산화물, 유전체) 그리고 그 위에 metal을 올리는 것이다. 이러한 공정의 종류와 방법은 주로 화학적이냐 물리적이냐에 따라 크게 두 카테고리로 나뉜다.
그림. 4 박막 공정의 종류
1) Chemical Deposition
유체(액체, 기체) precursor(씌우고자 하는 층이 될 잠재 물질)는 고체 표