게이트와 드레인-소스 채널 사이게 하나의 pn접합을 가지고 있다.
그림 1-1에 접합형 FET의 물리적 구조를 나타내었다.
그림 1-1(a)의 n 채널 JFET는 n 타입 부분의 스트립과, 그 스트립 양옆으로 확산된 2부분의 p 타입 부분으로 구성되며, p 채널 JFET는 그와 반대로 p 타입 부분의 스트립과 양쪽의 n 타입 부분
FET(Field Effect Transistor)는 전계 효과 트랜지스터라 불리는 Tr로 BJT와 기본적인 증폭 및 스위칭 동작은 유사하다.
FET는 BJT의 메이터, 콜렉터, 베이스와 유사하게 소스, 드레인, 게이트단을 갖고 있으며 게이트단에 가해주는 전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET의 두드러진 특성
1. 목 적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : MOSFET)의 드레인 전류에 대한 드레인-소스 전원압의 효 과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아본 다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적
3.1.1. 이상적인 MOS Capacitor
실제로 MOS Capacitor가 받는 표면효과는 매우 복잡하다. 이상적인 MOS Capacitor는 이런 표면효과를 무시한 것이다. 이런 MOS Capacitor는 변형된 일함수 을 사용하는 것이 편리하다. 일함수 이란 금속의 페르미 준위부터 산화물의 전도 대역까지의 크기를 말한다. 이 때 페르미 준위