n채널 JFET에 를 드레인에 인 가하 고 소스를 공통으로 구성한다.
게이트 전압 를 게이트에 인가하며 이러한 회로구성을 그림 1-2(a)에 나타내었다.
는 드레인-소스 전압 를 제공하고, 이것이 드레인으로부터 소스로 흐르는 드레인전류 를 만들게 된다.
드레인 전류 는 소스 전류와 동일하며, 이것은 p 타
게이트의 전압이 0V일때 채널이 형성되지 않기 때문에 '상시 불통(normally OFF)'소자라고 부른다. 증가형 MOS FET는 게이트의 전압이 문턱 전압 Vtm이상으로 넘어서면서 닫혀 있던 채널 폭이 점점 열린다.
MOS FET의 종류는 다음과 같이 4가지가 있다.
1)D형 n채널 MOS FET 2)D형 p채널 MOS FET 3)E형 n체널 MOS FET 4)E형 p
N채널 p채널이라는 표시는 drain과 source가 연결된 물질에 따라 표시 된다.
간단한 n채널 JFET가 [그림4]에 나타나 있다. 여기서 drain과source는 n채널에 연결되 있고
gate는 p채널에 연결되어 있다. N채널 반도체에 p 채널을 도핑하여 P-N 접합을 만드는 것이다.
이때 drain에 (+), source에 (-)를 걸어 주면 전류는
FET(Field Effect Transistor)는 전계 효과 트랜지스터라 불리는 Tr로 BJT와 기본적인 증폭 및 스위칭 동작은 유사하다.
FET는 BJT의 메이터, 콜렉터, 베이스와 유사하게 소스, 드레인, 게이트단을 갖고 있으며 게이트단에 가해주는 전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET의 두드러진 특성
게이트단에 가해주는 전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET의 두드러진 특성은 전압구동 소자라는 것과 전류흐름의 원인을 제공하는 전하캐리어가 전자 또는 정공의 한 종류 뿐 이라는 것이다. 이런 FET 의 종류로는 제조방법에 따라 JFET(Junction FET), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET