IGZO를 채널로 만든 트랜지스터의 이동도가 30~50cm2/Vs 정도의 범위에서 동작되고 있는 것으로 알려져 있으며, 그래핀 혹은 IGZO와 같은 전도성 산화물 반도체를 도입한 2 차원 구조의 채널물질이 개발되고 있다. 현재까지 비정질 IGZO TFT를 AMOLED 에 적용하기 위해서 채널의 공정 및 소자의 안정성을 제어하는
1. 도쿄일렉트론코리아에 지원하게 된 계기와 지원하신 직무에 대한 생각을 기술해주시기 바랍니다./ 현시대는 AI를 중심으로 발전했고 반도체의 혁신을 통해 오롯이 이루어졌습니다. 학부연구생 당시 IGZO TFT 소자의 불안정성을 연구하여 해외 ESCI급 논문을 게재했습니다. 정확하고 신속한 소자 성능을
3. a-IGZO기반
Oxide
TFT문제점
채널층에서 발생하는 문제
① 대기 중 산소나 수분과
금속의 자유전자가 반응
=> 자유전자 감소
② 빛에 의해 정공이 생성 됨
=> 정공 증가
↓
전기특성 신뢰도 감소
Transistor Switching 원리
채널이 형성되어
Source와 Drain간에
전류가 흐르기
1. kt cloud 및 해당 분야에 지원한 동기와 입사 후 10년내 회사에서 이루고자 하는 목표를 작성해주십시오. 또한, 목표를 달성하기 위해 어떤 노력을 할 것인지 구체적으로 기술해주십시오.
[고객 지향의 가치를 제공하는 인재]
저의 목표는 미래를 향한 투자, 고객 만족을 위해 도전하는 회사에서 직무를
1-1. 한전KPS에 지원한 동기(관심을 가지게 된 계기, 시기 등)와 본인이 가지고 있는 직무관련 역량 또는 경험을 상세하게 기술해 주시기 바랍니다. (500자) – 498
인턴 당시 사업소 내의 발전소에서 정비 업무를 수행하는 KPS인들을 볼 수 있었습니다. 한전KPS에 지원한 이유는, 발전 업무는 전기 품질과