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논문 > 공학계열
2007.05.28
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소개글

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목 차

Ι. 서 론 1

Ⅱ. 이론적 배경 2
1.1 정의 2
1.2 반도체 3
1.3 반도체 물리의 기초 3
1.4 반도체의 띠구조 3
1.5 반도체 도핑(불순물 첨가) 4
1.6 고유 반도체와 비고유 반도체 4
1.7 N형 도핑 4
1.8 P형 도핑 5
1.9 운반자 농도 5
1.10 P-N 접합 5
1.11 반도체 재료의 순도와 물결성 6
1.12 로렌츠 힘 (Lorentz Force) 6
1.13 자기장 속에서 전자가 받는 힘 7
1.14 홀 효과 (Hall Effect) 9

Ⅲ. 응용분야 11
1.1 홀 센서 ( Hall Senser ) 11
1.2 Hall Effect and Magnetoresistance 11
1.3 고유 이동도(Intrinsic Mobility) 14
1.4 Hall 계수와 Hall 이동도 측정법 14

Ⅳ. 참고자료 15

본문내용

Ι. 서 론

우리나라의 반도체 산업은 1983년 메모리공정 사업에 국내기업이 본격적으로 참여하면서 급속한 발전을 이룩해왔다. 짧은 기간에도 불구하고 현재 우리나라는 미국, 일본에 이어 세계 제3위의 반도체 생산대국으로 성장했으며, 특히 DRAM분야를 축으로 하는 반도체 메모리분야에서는 공급능력이나 공정기술 그리고 가격 및 품질 면에서 세계최고의 경쟁력을 보유하게 되었다. 2000년초 현재 반도체 DRAM 분야에서 세계시장 점유율 40%를 기록해 DRAM시장에서 한국업체의 입지를 공고히 하는 한편, 휴대형 단말기 및 PC 서버용 주요 메모리인 SRAM 분야에서도 수위의 시장 점유율을 확보하고 있고 휴대형 메모리반도체로 각광을 받고 있는 플래시메모리 분야에서도 급성장을 지속하고 있다. 이러한 성장세에 힘입어 2000년의 반도체 수출액은 주력 수출품인 DRAM 가격의 안정세가 유지될 경우에 235억달러 달성은 무난할 것으로 예상된다. 반도체 단일의 품목으로 235억달러의 수출을 달성한다는 것은 십 수년전 수출 100억달러를 목표로 했던 때를 생각하면 가히 대단한 일이라 아니할 수 없다.
.
.
.중략
이와같이 반도체소자의 고속도와 집적도를 위한 다양한 기술들이 제시되고 있는 바, 여기에서는 반도체공정의 이해를 도모하고 그러한 반도체관련 공정기술 및 장비기술의 개발동향을 알아보고 이와 관련한 특허출원을 분석하고 향후 기술발전동향을 살펴보기로 한다.

Ⅱ.이론적 배경
1.1 정의
Hall Effect의 발견은 1879년 에드윈 홀(Edwin H. Hall)에 의해서 발견하였다. 에드윈 홀(Edwin H. Hall)의 이름에도 불구하고 그에 관한 기록은 물리학 교과서에서 쉽게 찾아볼 수 없다. 심지어는 Encyclopedia Britanika 에도 그의 이름은 등재되어 있지 않다. 그러나 그가 현대 물리학 특히 반도체를 포함한 전자산업에 끼친 영향은 놀라울 정도로 크다고 할 수 있다. 그는 1879년 그가 미국의 존스 홉킨스 대학에서 로란드(Henry A. Rowland)밑에서 대학원 학생으로 있을 때 홀 효과를 발견하였다. 이는 톰슨(J. J. Thomson)에 의해서 음극선(전자)이 자기마당에 의해 휘는 것을 찾아내기 18년전 이었으며, 밀리칸에 의해 전자의 전기량이 밝혀지기 훨씬 전이었다. 홀은 전류가 흐르는 도선이 자석에 의해 힘을 받는 것을 알고서 도선 전체가 힘을 받는 것이지 아니면 도선내의 전자(전류)만이 힘을 받는 것인지 알고 싶어 했다. 그는 후자가 맞을 것이란 생각에, '만약 고정된 도선내의 전류 자신이 자석에 끌린다면, 전류는 도선의 한쪽으로 흘러나와야 하겠기에 도선의 전기저항이 증가할 것' 이란 가정에 따라 실험을 행하였다

참고문헌

고체물리학 /Ibach, Harald/사이텍미디어/2000/
핵심 반도체개론/장지근/淸文社/2001/
반도체공학/천변조/북스힐/2001/
현대물리학/Beiser, Arthur/교보문고/2000/
고체전자론입문 /지촌사부/전남대학교출판부/2005/
고체전자공학/Streetman, Ben G/喜重堂/1991/
Young&Freedman, University
physics with modern physics 10/e
Kittel, Introduction to Solid State Physics 7/e

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