테브난, 노튼의 정리
테브난의 정리 : 아무리 복잡한 회로라도 전원이 포함된 능동회로망 쪽은 V와 R이 직렬로 접속된 것과 같다.
노튼의 정리 : 전원이 포함된 능동회로망 쪽은 I와 R이 병렬로 접속된 것과 같다.
임피던스 정합 : 부하가 고정되어 있는 경우, 부하와 회로망의 등가 임피던스 사이에 적
테브난 등가회로를 그리면 보이는 것처럼 나온다.
(B) 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려할 때 Function generator의 출력을 얼마로 설정해야 하는가? Function generator의 출력저항은 50이며 전면에 표시되는 출력전압은 50의 부하가 연결되었을 때 이 부하에 걸리는 전압을 의미한다
.
▶ 이미터에 걸리는 전압 전체 전압 크기의 약 1/10에서 1/4정도의 값이다.
▶ VCE에 걸리는 전압은 전체 전압 크기의 약 1/4에서 3/4정도의 값이다.
▶ 정밀 측정에서 전압과 입력측 저항은 테브난의 정리를 사용하여 저항의 크기를 알 수 있다.
▶ 근사 해석에서는 βRE > 10R2로 놓고 해석하면 된다.
테브난의 정리나 노턴의 정리를 이용하면, 임의의 회로망을 등가전원(전압원 또는 전류원)과 등가 임피던스의 등가회로로 대치할 수 있으며, 이를 이용하여 부하저항에서의 전압이나 전류를 쉽게 구할 수 있다.
그런데, 선형의 회로망 내에 여러 개의 독립된 전원이 존재한다면, 옴의 법칙이나 테브
정리 또는 테브난의 등가회로를 이용할 수 있는데 매우 번거롭다는 것을
곧바로 알 수 있을 것이다.
이런 경우 편리함을 제공하는 것이 지금부터 설명하는 밀만의 정리로서
원리를 이해해 놓으면 현업에 아주 유용하게 사용할 수 있다.
이 정리는 다음과 같은 단계를 통해서 회로를 감축해 간다.
테브난 등가전압과 등가저항으로 간주될 수 있습니다.. 부하 저항 에 흐르는 전류 은 이며, 부하에 전달되는 전력 은
로 주어집니다. 주어진 전원으로부터 최대의 전력을 전달하는 을 찾기 위해서는 을 에 대해 미분하여 그 미분치를 0으로 두면 됩니다. 즉 가 되며, 이 식을 0으로 두면 다음과 같은
후(전원의 내부 저항이 없다고 가정) 두 단자 A와 B 사이에 나타나는 저항이므로가 됩니다. 이 등가전압 와 등가저항 를 두 단자 A와 B 사이에 직렬로 연결하면, 그림 2d와 같은 테브난 등가회로를 구하게 됩니다. 이 때 부하 저항 에 걸리는 전압 과 흐르는 전류 은 같이 간단히 구해질 수 있습니다.
테브난 등가전원으로 가주하면 된다. 그 전압원에 의해서 다이오드에는 전류가 흐르며, 측정 단자 전압과 전류 관계에 의해 피측정 다이오드의 저항치가 지시된다. DMM의 종류에 따라서는 저항을 지시하는 대신, 다이오드 양단에 걸리는 전압을 지시하는 경우도 있다. 이 경우는 저항치 대신, 0.6V(순방향
내부저항 R1과 부하저항 R2를 직렬로 연결할 경우 두 저항의 상대적 크기에 따라 부하저항에 전압이 인가될 것이다. 즉 부하저항에 큰 전압이 전달되기 위해서는 내부저항 R1보다 상대적으로 큰 저항을 부하저항으로 사용해야 할 것이다. 반대로 상대적으로 내부저항이 부하저항보다 작아야 더 큰 전압
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