Ⅰ. Introduction
1) Location
Russia is located in the north Eurasia continent (Far East Asia ~ Europe). Russia is the largest country in the world which is about 1/8 of the world’s land area. Because of this huge territory, there is an 11-hour time difference between East and West.
2) Climate
The huge territory of Russia also makes a various climate zone. Basically, Russia has continental
First, Substrate is consists of a plastic or glass, a portion of the OLED is supportive.Anode is a role that make electron holes when current flows by removing electron. And the upper Conducting Layer is the place that Electron Holes is being created.Emissive Layer is the place accepting an electron from Cathode and produce light.
Emissive layer and conducting layer are called organic layer beca
Ⅰ.Title
Solar cells with broad wavelength absorption and their expected efficiency
Ⅲ. Abstract
Recently, the solar cell energy is presently promising field because of energy problems such as oil inflation, fuel exhaustion, global warming and space development. A number of advanced countries have developed the solar cell energy rapidly under a nation enterprise. Of solar cell energy,
◎ 서 론
⒈ 설계의 배경 및 목적
다리미를 설계하는데 있어서는 많은 부분에 대하여 설계의 목적을 둘 수 있다. 일상생활에 많이 쓰이는 만큼 다리미의 손잡이의 인체공학적 설계, 혹은 자동온도조절기, 화재방지를 위한 고온센서, 그리고 현재 나오는 무선다리미의 원거리 다림질 등 여러 방
1. 서 론
그래핀은 완벽한 육각형 구조를 가진 흑연을 구성하는 2차원 단위체이다. 이것을 3차원으로 적층하면 흑연 구조, 1차원으로 말면 탄소 나노튜브, 0차원의 공 모양을 이루며 다양한 나노 현상을 연구하는 모델로 사용되어 왔다. 2004년 영국 맨체스터 대학의 Geim 연구진은 기계적 박리법(스카치
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은
위의 두 식을 살펴보면 Gate voltage가 상승하게 되면 처음 slope가 상승하게 되고 따라서 saturation voltage도 상승하게 된다. 또한 여기서 Cox는 εox/xox이므로 oxide층의 두께가 두꺼워질수록 앞서본 Vth에 대한 식에 따라 Vth가 커져 ID-VG그래프가 우측으로 shift하게 되고, 그래프의 slope역시 Cox가 작아짐에 따라 줄
AlN의 형성은 열역학적으로 자발적인 반응
In-situ Al/AlN 복합재
알루미늄의 높은 열 전도도를 유지
열 팽창계수의 감소
비강도 증가
복합재의 제조 원가 절감
최대 50 wt% AlN이 형성되었음 R.G. Reddy et al (2007)
수 마이크로미터 크기의 AlN 입자 형성
AlN이 용탕의 상층부에 집중적으