capacitor의 두께(d)가 얇아질수록 커진다. 그러므로 두께가 얇아질수록 capacitance의 크기는 커질 것으로 예상하였다.
I-V 그래프에서는 누설 전류(Leakage current)를 측정 할 수 있는데, 이 누설 전류는 산화막의 두께에 따라 다르다. 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 누설 전류가 증가하는데, 산화막이 얇아지게
I-V 특성
그림 3 전형적인 moscapacitorI-V 그래프
이번 실험에서는 moscapacitor에 걸어준 전압 변화에 따른 누설전류를 측정한다. 커패시터 양단에 특정크기 이상의 전류를 걸어주게 되면 갑자기 절연체를 통과해 흐르는 전류의 양이 급격하게 증가한다. 즉, 절연체가 일정 전압 이상에서 절연 능력을
되고, 금속기판은 (+)전하를 띄게 되고, 경계면의 Si원자는 (-)charge를 띄게 된다. 이때 hole과 -전자들이 합쳐지고, 남은 소량의 전자들이 Vg가 커짐에 따라 Si과 Oxide의 경계면으로 이동한다. 이때 carrier가 hole에서 (-) charge로 바뀐다. 결국 반도체가 p형에서 n형으로 반전되는 것이므로 inversion이라 한다.
전극크기 1mm, SiO2 층 두께 5nm, 10nm,15nm 세 mos 축전기에 대하여 -5V에서 +5V까지 전압에 따른 C값 측정
예상원인 2. SiO2 의 불완전 증착
Chamber 안의 불완전 진공상태로 증착과정에서 SiO2 가 완벽하게 증착 되지 않았을 가능성이 있다.
예상원인 3. Deep depletion 효과
주파수가 높은 전압이 인가된 경우 .
재료이다.
PR 그림
Spinner 장치
Spinner라는 회전을 하는 장치 위에 웨이퍼를 올려놓고 웨이퍼위에 PR을 떨어뜨리는데 위에 약 2~200Å의 두께로 층을 형성하기 위해서는 약 3000rpm의 속도로 회전시키면서 떨어뜨린다.
광막증착에는 Positive와 Negative방식 등이 있는데 Negative Resist는 노출되