1. 비휘발성 메모리 기술 개요
모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전 산업의 급속한 발달로 인하여 DRAM 일변도만으로는 수년 내에 국내 반도체 산업은 큰 위기를 맞을 수 있다. 그 이유는 현재 모바일, 디지털 환경에 대응하기 위해 DRAM이나 플래시 메모리(Flash Memory)를 논리소자와 결합시킨 embedded 메
06년에는 65nm 4Gb 제품, 07년에는 1cell에 4Bit를 격납할 수 있는‘Quad Bit’를 적용한 8Gb 제품의 시장투입으로 NAND를 선도하는 「삼성전자」나 「도시바」를 맹추격할 계획이다. 이러한 제품을 실용화해 나가는 데 있어서 중요한 기술이 ORNAND이다. Mirror Bit 테크놀로지를 베이스로 하기 때문에 고속 쓰기·읽
1. NAND 플래시 산업특성 및 현황
(1) NAND 플래시 메모리의 특성
플래시 메모리는 전원이 차단되었을 때 DATA를 잃어버리는 DRAM과는 달리, 전원이 차단되었을 때도 DATA를 저장하는 특성을 지닌다. 이와 같은 Non-Volatile 메모리의 특성으로 인해 점증하는 사용자의 DATA 저장욕구를 충족시킬 수 있는 하드웨
낸드플래시 메모리를 삼성으로부터 처음으로 공급받지 않음. 아이폰 5에 낸드플래쉬 등 주요부품을 나 하이닉스와 마이크론, 도시바로부터 납품받음
스마트폰 구동칩도 삼성과의 장기계약이 끝나는 2014년을 대비해 대만의 최대 반도체 생산업체인 TSMC에서 조달할 계획
‣ 스마트폰 성능을 좌우하
NAND Flash 시장전망
(1) 공급 전망
전세계 NAND Flash 출하액은 2005년 5월 이후 매월 전년동기대비 증가율이 50% 이상을 기록하며 급격히 증가하고 있다. 2005년 12월 전년동기대비 116.6% 증가한 1,129백만 달러를 기록한 이후 2006년 1월 들어 상승추세가 꺽였으나, 1월에도 전년동기대비 증가율은 74.2%에 달하였다.