플래시메모리의 태생적 한계를 원천적으로 극복할 수 있고, SoC와 접목할 수 있는 새로운 비휘발성메모리가 개발되어야 하는 당위성에는 의심의 여지가 없다.
현재 개발되고 있는 차세대메모리는 모두 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력의 특선, Flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 결합하려
반도체메모리의 동작 특성에 대한 대표적 모델은 시카고 대학의 M. H. Cohen, Energy Conversion Devices사의 R. G. Neale, 퀸스컬리지의 A. Paskin 세 사람의 성 첫 글자를 딴 CNP 모델이다. 아래 그림은 SET 과정을 나타내는 그림이다. 비정질 상태의 소자에 전압을 인가하면 conducting filament 영역 형성과 함께 저 전도도
반도체 시장은 전반적인 하락세를 나타내었다. 2008년 세계 반도체시장은 대체로 D램 시장이 큰 폭으로 감소하였고, 낸드플래시도
자료 : KOTIS, 2009. 5
[그림 4-1] 년도별 반도체 시장규모
크게 둔화 추세를 나타내었다.
메모리반도체의 경기는 공급 축소로 다소 하락세가 둔화되었지만, 수요의 뚜렷
메모리 시장에 지각 변동을 일으켰다. 휴대형 디지털기기의 확산은 영상파일이나 음악파일과 같이 용량이 큰 파일을 다량 저장할 수 있는 대용량 비휘발성메모리의 수요를 불러 일으켜 이전까지 디램에 비해 시장규모가 작았던 플래시메모리 시장이 급속히 성장하게 되었고 전체 메모리 시장규모도
1. 반도체공학과 (반도체시스템공학과)에 지원한 이유는 무엇인가요?
▣답변예시
네, 반도체공학과(반도체시스템공학과)는 미래 기술분야의 근간을 이루는 학문이라고 생각하기 때문입니다. 특히 여러 제품에서 핵심적 역할을 하고 있는 반도체의 작동원리, 반도체 설계, 제조에 필요한 공정이나 과