코어가 자화되어 있을 때 코어의 자화 상태를 소멸시키는 역할을 한다. 나머지 감지선(sense wire)은 코어의 자화된 상태로부터 0과 1을 감지합니다. 하나의 자기코어는 1비트의 정보를 기록한다.
자기코어 기억장치는 코어에서 비트 정보를 읽은 후 다시 원래 값을 복원해 주어야 하는 파괴 메모리이다.
메모리
- 휘발성 메모리이고 속도가 빠르며 컴퓨터의 체감 속도를 좌우하는 역할을 한다
- 일정시간이 지나면 전하가 방전되어 주기적으로 재충전이 필요한 DRAM(동적 램)과 전원이 유지되는 상태에서는 기억 내용이 유지되는 SRAM(정적 램)이 있다.
2) 보조기억장치
(1).하드디스크
- 세라믹, 알루
기억장치이다. 반도체 회로로 구성되어 있다. 흔히 RAM을 읽고 쓸 수 있는 메모리라는 뜻으로 알고 있는데, 이것은 오해다. RAM은 어느 위치에 저장된 데이터든지 접근(읽기 및 쓰기)하는 데 동일한 시간이 걸리는 메모리이기에 랜덤(Random, 무작위)이라는 명칭이 주어진다. 반면 하드디스크, 플로피 디스
기억장치를 연결하여 속도와 저장량을 보완한 구조체를 메모리 계층이라 한다. 메모리 계층은 크게 3단계로 구분할 수가 있다.첫째, 중앙처리장치에 내장되는 기억장치로서 처리장치와 속도가 비슷한 플립플롭으로 이루어진 레지스터들을 말하며, 이들은 명령이나 자료들을 일시적으로 저장하는 역할
기억장치 (SASD : Sequential Access Storage Device) : 데이터를 찾거나 기
록할 때 차례에 따라 순서적으로 하는 방식으로 자기 테이프가 있다.
ㆍ직접 접근 기억장치 (DASD : Direct Access Storage Device) : 자기 디스크, 자기 드럼,광 디스크와 같이 데이터가 저장된 위치에 관계없이 임의로 액세스가 가능하다.