1. 목 적
JFET의 드레인 전류에 대한 드레인-소스 전압 효과와 게이트-소스 효과 드레인 전류와 게이트-소스 전압의 특성 및 상호간의 관계를 이해한다
2. 이 론
(1) FET의 장점
1. FET는 높은 입력 임피던스를 갖는 전압에 민감한 소자이다. BJTDP 비하여 현저히 높은 입력 임피던 스 때문에 다단 증폭기의 입
JFET와 MOSFET의 차이점
J FET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 '상시개통(normally ON)'소자라고 한다. G-S의 pn접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든다. 이와 같이 J FET는 제어를 통하여 드레인 전류를 감소시키는 방식으로 동작하므
1. 목적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFET)의 드레인 전류에 대한 드레인-소스전압의 효과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트 소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있