점접촉형 바이폴라 트랜지스터를 Baedeen과 Brattain이 개발하였다. 1954년 지금의 반도체 제조공정과 가장 유사한 산화실리콘(Si O_{ 2}) 마스크 공정, 확산형(메사형) 바이폴라 트랜지스터를 Bell 연구소에서 개발 하였다. 오늘날 사용 중인 실리콘 집적회로는 1958년 Taxas 주식회사의 Jack Kolby가 개발 하였다. 점
합성하여 "-"성분(electron:전자)이 많도록 만든 물질이다. 이들을 접합하여 만든 것을 다이오드라고 하며 pn junction 이라고도 한다.
[1] 다이오드의 내부 구조
종류 : pn접합형, 점접촉형
[2] pn 접합과 정류 작용
① 전압을 가하지 않을 때 : pn 접합면에 정공이나 전자의 이동을 방해하는 전기장이 생김.
점접촉형 트랜지스터에서 곧 실용적인 접합형이 등장하고, 또한 잇따라 신형이 개발되며 예전의 진공관을 대신하여, 초소형은 물론 저소비 및 가볍고 긴 수명, 더불어 양산이 용이한 특징으로 널리 전자 회로의 주역으로서 활용되어 왔다. 또 트랜지스터 제조 기술의 진보로 더욱 작고, 복잡한 회로를
Ⅰ. 서 론
요즘 각 직장과 공공단체 등 각 사회전반에 제4차 산업 혁명이 화두로 떠오르고 있는데 이러한 시대적 흐름에 맞춰 유비쿼터스(Ubiquitous)란 말이 자주 오르내리고 있다. 이는 '편재한다'라는 의미의 라틴어에서 기원한 유비쿼터스라는 단어가 최근 신문이나 주요 언론에서 접할 기회가 많아
1. 사암의 정의와 광물 성분
사암은 구성 입자가 0.062mm에서 2mm까지의 모래 크기로 이루어진 쇄설성 암석으로서, 구성 입자의 광물 성분과 성인에 관계없이 통칭되고 있다. 그러나 구성 입자가 화산 기원인 경우에는 이를 화산 쇄설암으로 분류하여 다루는 경우가 많다. 사암의 주요 광물 성분은 석영,