전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET의 두드러진 특성은 전압구동 소자라는 것과 전류흐름의 원인을 제공하는 전하캐리어가 전자 또는 정공의 한 종류뿐이라는 것이다. 이런 FET의 종류에는 제조방법에 따라 JFET, MOSFET, CMOSFET 등이 있고 그특성과 응용법이 조금 다르다.
특성은 전압구동 소자라는 것과 전류흐름의 원인을 제공하는 전하캐리어가 전자 또는 정공의 한 종류 뿐 이라는 것이다. 이런 FET 의 종류로는 제조방법에 따라 JFET(Junction FET), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET), CMOSFET(Complementary MOSFET)등이 있고 그특성과 응용법이 조금 다르다. 여기서는 대표적인 JFET에 대해
그림 1-1에 접합형 FET의 물리적 구조를 나타내었다.
그림 1-1(a)의 n 채널 JFET는 n 타입 부분의 스트립과, 그 스트립 양옆으로 확산된 2부분의 p 타입 부분으로 구성되며, p 채널 JFET는 그와 반대로 p 타입 부분의 스트립과 양쪽의 n 타입 부분 으로 구성된다.
JFET의 동작을 깊이 있게 고찰하기 위하여 그림 1-
효과적으로 배제하는 생체방어기구를 말한다. 이 생체방어기구는 생체 내 혈액 중 백혈구에서 주로 맡고 있다. 면역반응에서 중심적인 역할을 하는 것은 각종 백혈구세포이다.
골수에서는 분화하지 않은 상태로 조혈모세포가 만들어져 그것이 시간과 함께 적혈구, 혈소판 그 외 여러 계열세포로 분
그림13-2는 정상적으로 bias된 JFET를 나타낸다. BJT에서는 베이스-에미터간에는 순방향으로 bias 되는데 반하여 JFET에서는 반드시 역방향으로 bias 된다는 사실이 다르다.
그림13-2에서 Gate는 Source와 Drain에 대해 역방향으로 bias되기 때문에 n-type 반도체의 전하운반자는 Gate에 대해 먼쪽으로 이동하게 된다. 그