저항값은 재료의 저항률과 길이에 비례하고, 단면적에는 반비례함을 볼 수 있다.
[그림 -1] 저항값을 결정하는 인자들
저항은 값을 바꿀 수 없는 고정 저항(Fix Resistor)과 바꿀 수 있는 가변 저항(Variable Resistor)으로 구별된다. 저항은 탄소 또는 금속 재료를 이용하여 만들어지며, 주로 사용되는 저
금속을 펴보면 평행한 평판인 것을 확인할 수 있다. 이 평행 평판의 단면적이 클수록 커패시턴스가 커지기 때문에 용량성이 큰 커패시터를 만들기 위해서는 단면적의 크기를 키워야 할 것이다.
▶ 알루미늄 전해 커패시터의 단면
실험 4B. 커패시터 제작 실험 : 양 전극판의 면적, 전극판 간격
금속 표면에 산화피막을 형성하여 부식의 저항성을 증가시킨다.
2.2 3전극 시스템
2.2.1 삼전극 시스템
셀을 구성할 때 2전극, 3전극 또는 4전극을 사용한다. 2전극은 작업전극과 기준전극으로 이루어져 있다. 2전극을 사용할 때 기준전극에 많은 전자가 흐르게 되며, 기준전극과 용액 사이의 산화
CNT를 주목하게 되었다. 이 결과 나노혼 구조의 경우, 백금계 촉매를 매우 미세하게(직경 2nm) 담지시켜, 결과적으로 연료전지의 출력을 20% 정도 향상시킬 수 있음을 밝혀냈다. 종래 활성탄으로 동일 조건에서 실험을 행한다면 [그림 37]에 나타낸 것과 같이 촉매입자의 크기가 2배이상이다. 이것은 촉
증폭기로서 취급 할 수 있다. 이 무한대의 증폭율을 전제로하면 피드백 회로를 구성할때 증폭율을 저항의 비율 만으로 결정 할 수 있어서 연산 증폭기라 할 수 있다. 외관상은 디지탈 IC와 동형상이며 실장 개수에 따라 핀 수가 변한다. 위 그림에서 왼쪽은 2개, 오른쪽은 4개를 내장하고 있다.