증가하면서 LED의 응용범위가 급팽창하였다.
90년대 중반 이후, 질화갈륨 (GaN) 청색 LED가 개발되면서 LED를 이용한 총천연색 display가 가능하게 되었으며, LED는 반도체의 빠른 처리 속도와 낮은 전력 소모 등의 장점과 함께, 환경 친화적이면서도 에너지 절약 효과가 높아서 기존의 발광 재료들을 대체해
반도체 연구는 ITRI가 주도하고 있으며 양산 위주의 연구개발에 집중하고 있고 Next generation Light R&D Consortium이 결성되어 100lm/W가 목표이다. 백색 LED의 발광방식은 UV-LED를 베이스로 하고 있고, 참여기업의 역할분담은 GaN 기판 (HVPE방식)을 ITRI/OES가 담당, 에피텍셜 웨이퍼 성장을 Epister 및 Forepi, 칩 프로세스
외부 조건에 따라서 여러 가지로 변한다. 또한 그 물질의 결정격자의 결함·순도·제조 및 가공방법이 다르면 반도체나 절연체에서는 비저항이 심하게 변하지만 도체에서는 그 변화가 별로 크지 않다. 도체의 경우는 온도가 증가함에 따라 비저항이 크게 되지만 반도체나 절연체의 경우는 도리어 감소
효율적으로 개선할수 있는 방법을 찾아 기존의 fin형상과 비교해보는 방법으로 heatsink를 설계해보도록 하였다.
1.1 LED의 개념
LED(Light Emitting Diode)는 전기 신호가 인가되면 빛을 발산하는 화합물 반도체의 일종으로 발광다이오드라고 한다. 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상 구현이
외부 조건에 따라서 여러 가지로 변한다. 또한 그 물질의 결정격자의 결함•순도•제조 및 가공방법이 다르면 반도체나 절연체에서는 비저항이 심하게 변하지만 도체에서는 그 변화가 별로 크지 않다. 도체의 경우는 온도가 증가함에 따라 비저항이 크게 되지만 반도체나 절연체의 경우는 도리