방법에는 두가지가 있는데 그 한가지는 모양에 따라서 구분이 되어 지고 그 모양을 구분하는 두가지 기준은 단위셀을 이루는 두 면이 만나서 이루는 각도와 3개의 변의 길이로서 구분한다. 이를 위해 x, y, z의 좌표계를 단위 셀의 한 모서리를 원점으로 만들고 이 원점과 접하고 있는 세 변은 오른나사
Ⅰ. 개요
실험의 목적은 상상적 추구에서 세워지며, 거기의 실험의 형태가 나타난다. 여기서도 상상은 매 단계에서 요구된다. 왜냐하면 실험을 수행하기 위한 여러 가지 방법이 나와 있고 또 듣지도 못하던 새로운 방법도 때로는 생각해 내야 하기 때문이다.
실험에 있어서 요구되는 창의적 사고를
● LTPS 란?
LTPS란 저온에서 amorphous phase이 없이 실리콘의 Grains이 결정화된 것을 말한다
● 저온 다결정 Si의 형성 방법
저온 다결정 Si의 형성 방법은 직접증착에 의한 방법과 비정질 Si의 결정화에 의한
방법이 있으며, 결정화방법이 일반적으로 사용되고 있다.
○ 직접증착에
결정화는 모양과 크기가 일정한 입자를 생성한다. 마지막으로 결정화 기술에는 드래프트관 배플 기술, 강제 순환 결정화 등이 있다. 이번 실험에서는 결정화방법으로 계의 과포화도에 따른 핵생성 반응을 통해 결정화를 알아보고자 하며, 결정의 핵생성과 성장이라는 기본 전도기구 메커니즘을 이해