1. 목적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFET)의 드레인 전류에 대한 드레인-소스전압의 효과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트 소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있
MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있다.
2. 이 론
(1) MOSFET의 기본 원리
Bipolar Junction Transistor의 동작원리는 Base와 Emitter간에 순방향이 인가될 때 Emitter에서 방출된 전자 또는 정공이 base를 minority carrier로써 지나서 Collector로 넘어가는 것으로 base의 전압을 이용하여 Emitter에서 방출되는 전자 또
동작을 방해하는 전기신호
와 같은 불필요한 부분을 포함할 수 있다. 또한 아날로그 데이터는 전송과정에서 상쇄되어 손실되는 데이터로, 송수신이 지속적으로 반복될 경우 처음의 데이터를 유지하기가 어렵다.
그러나, 디지털은 데이터 하나하나를 일종의 프로토콜로 통해 숫자 Yes or No
로 전송하
9. n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화
매우 낮은 온도에서는 intrinsic EHP가 거의 존재하지 않는다. 온도가 증가함에 따라 도너의 전자들이 Conduct band로 옮겨지고 약 100K에서 모든 도너 원자가 이온화되는 과정이 발생한다. 이후 ni가 Nd와 비등해 질 때까지(intrinsic carrier 농도가 도너 농도와
원리
CMOS는 동일한 실리콘 웨이퍼 위에 n-channel, p-channel device가 동시에 만들어질 수 있는 장점을 가지고 있다.
기본회로는 inverter로서 <그림a>에 있는 바와 같이 p-channel FET와 n-channel FET로 구성된다. VDD +3~18[V]사이이고, low level은 0[V], high level은 VDD이다.
MOSFET의 특성.
① n-channel MOS는 gate-source 전압이