3. 실험 장비와 실험 준비
1) 실험 준비
① 편광 된 광원 : 파장, 형태, 세기
② 오실로스코프, 감지기 : 대역폭, operating wavelength, responsivity
③ 함수 발생기(FG) : 함수의 형태와 적용된 전압을 입력한다.
④ 고리 공진기(Ring resonator) : 방향성 연결기 (Directional coupler (DC)), 편광 조절기(Polarization contr
(FWHM) of 0.3°. The XRD pattern of sample (b) also shows the high C axis oriented ZnO grains with FWHM of 0.5°, which suggests that the crystallization of ZnO turns worse. Meanwhile, other three additional peaks attributed to Zn2GeO4 are observed in sample (b). Fig. 1 (c) shows that the crystallization of ZnO tends to be much worse. Furthermore, except for that of Zn2GeO4, no diffraction
→ ALD is based on the sequential use of a gas phase
chemical process. ALD film growth is self-limited and
based on surface reactions, which makes achieving
atomic scale deposition control possible.
☞ Self-limited growth
☞ Atomic scale deposition
☞ Easy way to produce
uniform, crystalline,
high quality thin films.
-결정성 평가
-FWHM (Full wi
내려오면서 발생)
- 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생하는 매우 특수한 성질
- 여러 가지 반도체 물질로 합성한
양자점의 크기 와 방출파장
- 양자점의 크기는 2 ~ 9.5 nm
방출파장은 400 ~ 1350 nm
방출 스펙트럼의 폭(FWHM)은
30 ~ 50 nm
소결온도를 달리하여 합성한 SrMoO4:Tb3+ 형광체 분말의 여기 및 발광스펙트럼을 각각 측정하였다.
XRD 회절 패턴 분석에서, 1200 °C 소결 분말 결정성이 가장 우수하였으며, 여기 및 발광 스펙트럼의 세기 역시 가장 강하게 나타나는 것을 확인하였다.
형광체 분말 입자의 크기가 구형의 형태로 고르게 분