반도체 간의 경계면에 채널이 형성된다. 이 소자를 만들기 위해서, 페르미 준위가 에너지 갭의 중간 근처에 놓이도록 적절히 도핑함으로써 반 절연성의 GaAs기판이 만들어 진다.
⑵ HEMT의 역사 (1)The paper by Klitzing awarded the Nobel Prize
New method for high-accuracy determination of the fine-structure
constantbased quantized Ha
Light Emitting Diode (발광 다이오드)란 다수 캐리어가 전자인
n-type 반도체 결정과, 다수 캐리어가 정공인 p-type 반도체 결정이
서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체소자로서, 화합물
반도체의 특성을 이용해 전기신호를 원하는 파장 대역을(적외선-
가시광선-자외선) 갖는 빛으로 변환시켜 신호
반도체 이므로 효율 극대화가 힘듬
②InGaN의 박막 성장이 성공 => 고휘도 녹색 LED의 구현 가능
4)청색 LED 재료
①청색 LED는 가장 실현하기 어려웠던 색
②처음에는 SiC(간접천이형), ZnSe(모재의 신뢰성 부족), GaN 등 세 가지 물질이 경합
③GaN은 In의 조성비에 따라 적색~near UV까지 발광하는 InGaN의 박막
반도체기업들에게 한국과의 국제분업(international division of labor)을 촉진시키는 토양이 되었다. 뿐만 아니라 1966년 한국정부는 국내의 내부적 기술역량 부족을 극복하고 선진국의 기술역량을 활용하기 위해 해외자본유치법을 제정하여, 해외자본과 해외기술 유입을 장려하였다. 이와 같은 국내적 여건과
작은 소자들을 측정하는 기구. 특히 전자 소자를 측정하는 데 유용함.
(Scanning Tunneling Microscope)의 개발로 인해 나노 구조의 측정과 조작이 가능해졌고, 이와 병행하여 컴퓨터의 눈부신 발전을 통해 나노미터 단위에서의 물질거동에 대한 정교한 전산모사가 가능함으로써 비약적인 발전을 맞게 되었다.