값의 전압, 전류를 낮은 값으로 바꿀 수 있고, 그 역도 가능하다. 반도체스위치들은 바이폴라 트랜지스터, 금속산화피막-전계효과 트랜지스터(MOSFET), 다이오드, 사이리스터, 등으로 구현될 수 있다. 그림 13-1은 MOSFET(Q)와 다이오드(D)로 구성한 벅-쵸퍼를 보여준다. 그리고 관련 파형을 나타내고 있다.
그림 B는 MOSFET의 전압-전류 특성을 나타낸 것으로 차단 영역, 선형영역, 포화점, 포화 영역으로 구분하며, 점선은 포화점의 연결이다.
(1) 차단(Cutoff) 영역
소스와 기판의 전압을 0 볼트로 인가하고, VGS의 전압이 문턱전압(VTO)보다 작을 때 위 그림A의 (a)에서처럼 소스와 드레인 사이에는 채널이 없기 때
2. 실습 준비물
함수 발생기 1대
Oscilloscope 1대
DC Power Supply 대개 (동시에 두 개의 전압 출력 필요)
N-Channel enhancement MOSFET : 2N7000 TO-92 (Fairchild) 2개
DMM : 1대
저항 : 15Ω, 5%, 1/4 W 1개, 10kΩ, 5%, 1/4W 1개, 가변저항 (1 MΩ) 7개
커패시터 : 100 2개, 1 2개, 10 2개