분야
pptx2. CF 공정 Process
3. Cell 공정 Process
2) Gate Sputtering : Gate 증착 前 DI를 이용하여 세정 진행한 後 Sputtering 장비에서 GLS를 90˚ 세워서 상온,상압에서 Target을 이용하여
GLS 증착 전면을 Metal로 증착함
(Gate Metal : Bottom Moti + Cu, Pure Al + Top Moti, AlNd etc…)
LGD의 경우 응답속도 상향을 위해 비저항이 낮은 Cu를 Main Metal로 전환
? Cu : 하부에 Bottom Moti를 300Å 정도 先증착하는 이유는 GLS와의 Adhesion을 높이기 위해서임
(GLS와 Cu와의 접촉 時 Adhesion 약화로 Cu Metal이 GLS에서 떨어져 나가는 경우 발생)
