[메모리] 메모리의 개념, 분류, 관련 용어와 IC메모리, 비메모리, 플래시메모리 및 메모리 관리 방법 심층 분석

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소개글
[메모리] 메모리의 개념, 분류, 관련 용어와 IC메모리, 비메모리, 플래시메모리 및 메모리 관리 방법 심층 분석에 대한 자료입니다.
목차
Ⅰ. 개요

Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책

Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRAM
2) DRAM
2. ROM(Read Only Memory)
1) 마스크 롬(Mask ROM)
2) EPROM(Erasable Programmable ROM)
3) EEPROM(Electrical Erasabel Programmable ROM)
4) 플래시 메모리(FLASH Memory)

Ⅳ. 메모리 관련 용어
1. DMA (Direct Memory Access) ; 메모리 직접 참조
2. I/O (input/output) ; 입출력
3. task/multitasking ; 태스크/멀티태스킹
4. PCI (Peripheral Component Interconnect)
5. Slot
6. ISA (Industry Standard Architecture)
7. desktop
8. TCP/IP (Transmission Control Protocol/Internet Protocol)
9. intranet ; 인트라넷
10. HTTP (Hypertext Transfer Protocol) ; 하이퍼텍스트 전송 규약

Ⅴ. IC메모리

Ⅵ. 비메모리

Ⅶ. 플래시 메모리

Ⅷ. 메모리 관리 방법

참고문헌
본문내용
Ⅰ. 개요
어떤 과학자들은 홀로그래픽기술이 사용자들이 요구하는 모든 저장장치들을 가져다 줄 것이라고 믿고 있다. 홀로그래픽 메모리시스템은 기록면에 데이터를 겹겹이 쌓아올릴 수 있도록 장려한다. 서로 다른 각 레이어들은 레이저광의 각도 변화에 따라서 데이터를 읽을 수 있다. 홀로그래픽 메모리시스템은 세계 최대의 사전인 브리태니커백과사전을 어느 한 장소 안에 모아 동전보다 얇은 두께로 그 데이터를 저장하게 될 것이다. 만일 비파괴칩기술이 기존의 추세처럼 발전된다면, 브리태니커백과사전 전체는 가까운 미래에 8개의 작은 칩 안으로 들어가게 될 것이다. 플래시 메모리칩들은 대중적인 활용 국면을 맞고 있다. 최근에 등장한 플래시 메모리기술은 기존의 최대 플래시 메모리보다 16배나 큰 저장능력을 갖추고 있다. 30MB 플래시 메모리칩은 휴대용 PC의 하드드라이브를 대체할 움직임을 보이고 있다. 언젠가는 PC에 있어서 유일하게 이동할 수 있는 부분은 키보드, 마우스, 그리고 냉각팬 정도만 될 것으로 보인다. 금세기말이면 1GB급의 플래시 메모리가 PC에 장착될 것임은 의심의 여지가 없다. 더욱 많은 정보를 더욱 작아진 공간에 저장할 수 있게 된다면, 과연 어떤 일이 발생할 것인가? 이것은 마치 과거의 손목시계처럼 비디오폰이 닳아 없어져 버리는 것과 같은 의미이다. 이것은 장차 여러분들의 앞주머니 안에 넣은 디스켓처럼, 모든 대학전공서적들을 담아 옮길 수 있다는 것을 말한다. 우리는 20세기 말이면 저장기술이 또 한번의 도약기를 맞이할 것으로 본다. 그 도약은 우리가 무슨 일을 할 것인가, 어떻게 일할 것인가라는 측면에서 모든 것을 변화시킬 것이다.

Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
실제의 메모리(physical memory) : 메인메모리로서 프로그램이나 데이터가 저장되는 공간
논리적 메모리(logical memory) : 프로그래머가 프로그래밍시 사용하는 공간
컴퓨터내의 PC(program count)라는 장치와 메모리와의 관계
참고문헌
□ 김광호, 유병군, 이희철 공역, FRAM IC 카드 기술, 문영사, 2001년
□ 김종성, 반도체 소자, 대웅출판, 2002
□ 신동일, 컴퓨터 사이언스 : PC와 인터넷 중심으로, 서울 : 사이텍미디어, 2003
□ 이동렬, 김중태, 어셈블리&C 언어를 사용한 8051 길라잡이, 도서출판 두남
□ 최성재, 반도체 소자 공정 기술, 청문각, 2006
□ 한규일, 실리콘 나노 결정 Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문