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[재료학] 고저항 웨이퍼 SOI Wafer 박막 트렌지스터 제작실험(영문)

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1.Experiment Process
Oxidation
Doping
Isolation
Metallization

2.Results & Discussion
Transfer Curve
- Vth
- Mobility
- SS
- On/off ratio
IV Curve
- Saturation region

본문내용

문턱전압은 0.7V가 일반적입니다. 저희 실험값은 3.7V가 나왔는데 좀 크게 나온것을 알 수 있씁니다.

Mobility 값은 300K 실온에서 Si 실리콘에서 전자 채널 형성되었을 때의 mobility값 1350보다 작은 값이 나왔습니다

Subthreshold swing 값은 일반적인 값인 0.1(저는0.07로알고있는뎋ㅎ) 보다 크게나왔습니다.

On off ratio역시 10의 6승으로 일반적인 값인 10의 7승~ 10의 8승 보다 작게 나왔습니다.

문턱전압이 크고 전하이동도가 작은 것은 합리적인 결과라고 할 수 있다.
전자가 어떠한 이유로 이동하고 힘들고 그에 따라 문턱전압도 커지는 결과이다

참고문헌

Evaluation of SOI wafers using C-V characteristics of thin-film MOS capasitor, jong-wook Lee외 4명, Hyundai Electronics Industries

A Fundamental Study of the Bonded SOI Wafer Manufacturing, Do-min Moon외 3명, 1997

Single Crystal Silicon Thin Film Transistor using SOI Wafer for the Switching Device of Top Emission Type AMOLEDs, Jae-Won Chang외 4명, 2004.4

Solid State Electronic Devices, 6th Edition by Ben G. Streetman,Sanjay Banerjee (2005)

Introduction to Microelectronic Fabrication by Richard C. Jaeger (2005)

TFT LCD by T.Tsukada (1996)

#제작실험 #고저항 #웨이퍼 #SOI #재료학

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