1. 비휘발성 메모리 기술 개요
모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전 산업의 급속한 발달로 인하여 DRAM 일변도만으로는 수년 내에 국내 반도체 산업은 큰 위기를 맞을 수 있다. 그 이유는 현재 모바일, 디지털 환경에 대응하기 위해 DRAM이나 플래시메모리(Flash Memory)를 논리소자와 결합시킨 embedded 메
NAND플래시라는 Data Storage계의 제품과는 분명히 구분짓는다.
5) 르네사스테크놀로지 : 르네사스테크놀로지는 프로그램 격납용 NOR형과 더불어 메모리 카드용 Data Storage용 AG-AND 등을 라인 업한다. 현재 주력은 Data Storage용 1~2Gb로 이행 중이다. 1년 전에는 월 5만개에 머물렀지만 04년 말에는 월 230만개로 끌
메모리사업부를 매각하며 2005년 워크아웃을 졸업했다.
2012년 SK그룹으로 편입하여 현재의 회사명으로 변경하고, 메모리 반도체인 D램, 낸드플래시와 비메모리 반도체 CIS(이미지센서)를 개발 · 양산하고 자회사를 통해 파운드리사업을 전개해왔다.
최근 SK하이닉스는 D램· 낸드 차세대 메모리제품 개
제어함으로써, 데이터를 기억 및 저장하는 장치
- 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 구분
휘발성 메모리(RAM) : 전원 차단 → 기록된 정보 손실(일시적 저장 형태의 메모리)
- DRAM, SRAM 등
비휘발성 메모리(ROM) : 전원 차단 → 기록된 정보 보존
- ROM, flash memory, 마그네틱 컴퓨터 기억장치 등
메모리 반도체(memory semiconductor)
- 데이터를 기억하거나 저장하는 장치
- RAM과 ROM으로 구분
ㆍ휘발성 메모리(RAM)
- 전원을 차단했을 때 기록된 정보 손실
- 일시적 저장 형태의 메모리
- DRAM, SRAM 등
ㆍ비휘발성 메모리(ROM)
- 전원을 차단하더라도 기록된 정보 보존
- ROM, flash memory, 마그네틱