메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장가능) 의
공정기술을 바탕으로 세계시장에서 기술력, 시장지배력을 주도
한국의 메모리반도체는
DRAM의 세계시장점유율(‘06) 45.1%, Nand Flash 58.6% 차지하여
세계시장에서 독보적인 위치를 차지
연구 개발 및 생산 시설에 대
1. 메모리반도체메모리반도체(memory semiconductor)
- 반도체의 회로를 전기적으로 제어함으로써, 데이터를 기억 및 저장하는 장치
- 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 구분
휘발성 메모리(RAM) : 전원 차단 → 기록된 정보 손실(일시적 저장 형태의 메모리)
- DRAM, SRAM 등
비휘발성 메모리(ROM)
메모리로 ‘반도체 신화’를 써내려 왔다. 국내 모든 반도체 기업들이 D램 등 ‘세계 최초’의 메모리 개발 성과들을 쏟아내며 메모리 강국의 기틀을 닦았지만, 누구 하나 비메모리에 적극적으로 드라이브를 거는 기업들은 없었다. 그 결과 지금 우리나라는 세계 메모리반도체시장에서 46.4%의 점유율
시장을 열어놓았고, 현재로서는 12.1인치 제품을 개발할 계획조차 없다.
(2). 내부 환경
일부는 11.3인치를 원하고, 또 다른 일부는 12.1인치를 원한다. 하지만 두 모델 모두 개발 및 양산 한다는 것은 현재 인력과 재정능력을 고려해 볼 때, 불가능하다.
8. 전략회의 - 각 모델 별 특성
(1). 12.1인치
반도체 산업사라고 해도 과언이 아니다. 삼성 반도체는 지난 1974년 국내 최초로 반도체 생산에 착수하여 1983년에 64K DRAM 개발에 성공함으로써 우리나라를 미국, 일본에 이어 세계 세번째 VLSI급 반도체 기술 보유국가로 올려놓았다.
이후 1992년, 1993년도를 거치면서 DRAM 및메모리반도체 1위 기업으로 도