, 바깥쪽의 탐침을 통하여 전류 I(A)를 흐르게 하여 가운데 2개의 탐침 사이의 전위차 V(V)를 측정한다. 그리고 측정값은 극성을 바꾸어 실시하여 그 평균값을 취한다. 면 저항 값을 계산하기 위해서는 저항 값(Ω)에 보정계수를 적용해 줘야 한다. 보정계수는 Sample size와 박막의 두께 그리고 측정 시
박막은 In2O3에 Sn을 10% 정도 포함한 n-type 반도체 재료로서 다른 투명 박막에 비하여 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성 때문에 사용되어 지고 있다. 비저항이 1 × 10-3Ώ/cm이하, 면 저항이 103Ώ/sq 이하로 전기전도성이 우수하다. 그리고 ITO가 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래
1. 빛의 위상
빛이 서로 다른 굴절률을 가진 매질을 통과할 때 두 전자기파 사이의 위상차가 달라진다. 이때 나타나는 위상차는 간섭의 주요 원인이 된다. 파동이 굴절률이 다른 두 매질을 통과할 때 매질을 통과하는 파동의 파장이 다르므로 두 파동의 위상은 일치하지 않는다. 빛의 길이가 이며 굴절
박막증착기술이며, 따라서 양질의 막을 생성하기 위한 박막 생성 및 제어 기술이 강하게 요구된다.
박막은 기판 위에 생성되는 물질의 얇은 고체 층이다. 만약 고체물질이 세 가지(두께, 폭, 길이)의 차원을 가지고 있다면, 박막 고체 층은 다른 두 개(폭, 길이)의 차원보다 훨씬 작은 두께의 차원을 갖
박막 전지의 구조가 발표되었지만 공통적으로 기판/하부 콜렉터/Cathode/Electrolyte/Anode/상부 콜렉터/Encapsulation의 구조를 갖는다. 이때 하부 콜렉터는 주로 바나듐 또는 Pt, Ru, Pd 등의 귀금속을 사용하며 상부 콜렉터는 알루미늄이 가장 일반적이다. 기판을 제외한 전지의 전체 두께는 5 Ռm 이하이다. 그