SiO2와 NiCr은 Ni 필름을 950도에서 어닐링 함으로써 일반적으로 Ni2Si접촉을 형성한다. 그러므로 더욱이 cap 층의 (Au,Pt) 약한 흡착으로써 장비 결합 적용에 대한 실용적인 문제를 이끌면서 중간 확산 barrier층은 cap층과 접촉부분 사이 확산을 예방하기 위하여 필요해진다. Au가 전도물질로 사용될 때, Au와 저항
1. 반도체란?
전기전도도에 따라 물질을 분류하면 크게 도체, 반도체, 부도체로 나뉜다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체와 비슷한 특성을 보이지만 불순물의 첨가에 의해 전기전도도가 늘어나기도 하고 빛이나 열에너지에 의해 일시적으로 전기전도성을 갖기도 한다.
주기율표상에 14족에 위치하
열공급시설 등 각종 오염원에서 배출된 질소산화물, 휘발성유기화합물 등 1차 오염물질이 태양 복사에너지에 의하여 광화학반응을 일으켜 생성되는 오존, PAN(peroxy acetyl nitrate), PBN(peroxy benzoyl nitrate), 아크로레인(acrolein), 포름알데히드(formaldehyde) 등 산화성이 강한 물질을 말한다. 광화학스모그는 이러한
반도체산업의 중심에 서있다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.
3. 기본이론
1) Mos capacitor
[ 그림 1 ] The metal-oxide-semiconductor capacitor
그림 1은 Mos capacitor는 Si층과 금속판 사이에 끼어있는 얇은 SiO2층으로
What is High-k ?
고유전율의 재료로써
반도체의 Gate나 Capacitor를 만들 때 사용하는 신소재
Ex) HfO2, ZrO2
High-κ물질은 말 그대로 고 유전율을 가지고 있는 물질이므로 SiO2보다 높은 비율로 집적 시켜도 Tunneling 현상이 일어나지 않아 선택하게 되었다.
반도체 회로의 미세화에 따라 크로스토크(Cross Talk)와