Si판의 -전하는 반대방향으로 이동하게 된다. 결국 상대적으로 +전하를 띄는 hole이 SiO2와 Si의 경계쪽으로 모이게 된다. 여기에서 hole은 carrier를 나타낸다. 즉 이 carrier가 경계면에 축적되는 것이므로 accumulation 이라 한다.
[ 그림 2 ] MOScapacitor 에너지 대역도
② Depletion
Vg가 양전압에
4. 실험장비
① E-Beam Evaporator
PVD(Physical vapor deposition)의 한 방법으로 전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여
② Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하
③ PVD(Physical Vapor Deposition)
PVD는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체 상태가 고체 상태로 바뀌는 물리적인 변화를 이용한 방법을 말한다. 다른 증착법과는 다르게 저온에서 간단히 박막을 증착할 수 있는데, 다음과 같이 여러 증착법이 있다.
스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam evapora
flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.