광메모리기술의 분류
광메모리는 일반적으로 재료기술의 범주에 따라 정보저장 형태와 정보 기록 방식으로 구분해 볼 수 있다. 정보저장 형태는 읽기만 가능한 판독전용 장치인 ROM(Read Only Memory), 읽기가 가능하고 한번의 기록만 가능한 WORM(Write Once Read Memory), 읽기가 가능하고 반복 기록도 가능한 RW
양산 설비, 고순도의 단일벽 탄소나노튜브(SWNT) 상온 합성, 최대 100 m 길이의 탄소나노튜브 제조, 탄소나노튜브 전계발광 디스플레이 (FED), 자동차 차체용 고강도 탄소나노튜브 복합재료, 탄소나노튜브 분산/안정화
ITO 대체 탄소나노튜브 투명전극, 노트북용 탄소나노튜브 연료전지, 탄소나노튜브
광기술로 0.5w 이하 해상도에 이르렀다. 계속적으로300nm 이하 단파장의원자외선(deep UV) 노광기술로 발달하여 0.210 이하의 고해상도 기술이 달성되었다. 현재에는 248nm 파장의 KrF 엑사이머 레이저 노광기술로 256메가빗(Mbit) DRAM 반도체의 대량생산이 이루어지고 있으며 1 기가빗(Gb) 메모리 반도체의 생산이
재료․바이오(의약)․환경(에너지)․공정산업 등에서의 활용도 크게 증가할 전망이다. 특히 반도체분야의 경우 "메모리칩의 능력이 18∼24개월마다 약 2배로 증가한다"는 Moore의 법칙에 따른다면, 2006년에는 100나노미터 이하의 공정이 요구되는데 이러한 기술적 장벽을 돌파하기 위해 나노기술(
광체로 사용한 박막 소자로부터 EL 특성을 발견하여, 고분자 재료를 이용한 유기 EL 디스플레이 연구도 시작되었다
현재 유기 EL의 연구 현황을 보면, 재료의 효율성과 공정 성숙도의 측면에서 앞서 있는 저분자 유기 EL 분야에서는 일본을 중심으로 제품화 기술이 개발되고 있으며, 물질의 안정성과 공