이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에 와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한
미국의 반도체 강국 지위가 다소 불안한 점도 있다.
반도체 기업별 세계 매출순위를 살펴보면, 세계 2위 기업인 삼성전자는 2009년 2분기 반도체 매출이 2008년 2분기에 비해 18.5%나 하락하였다. 하이닉스도 2009년 2분기에 무려 27% 감소한 매출결과를 보였으나, 세계 8위의 지위를 나타내고 있다.
4.1 C-V 특성
그림 2 이상적 mos capacitor의 c-v그래프
이번 실험에서는 mos capacitor에 걸어준 전압 변화에 따른 커패시턴스 변화를 측정한다. 커패시턴스는 두 도체 사이에 저장되는 전하량을 의미하며 로 구할 수 있다. 이 식으로부터 실험변수인 산화막 두께 d 값이 5nm, 10nm, 15nm로 변함에 따라 전기용량
전극크기 1mm, SiO2 층 두께 5nm, 10nm,15nm 세 mos 축전기에 대하여 -5V에서 +5V까지 전압에 따른 C값 측정
예상원인 2. SiO2 의 불완전 증착
Chamber 안의 불완전 진공상태로 증착과정에서 SiO2 가 완벽하게 증착 되지 않았을 가능성이 있다.
예상원인 3. Deep depletion 효과
주파수가 높은 전압이 인가된 경우 .