트랜지스터의 동작(작동)
에사끼는 터널이론을 적용하여 특수한 반도체 성질을 규명하였다. 터널 현상은 다수 반송자에 의한 효과이다. 반송자의 터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. -고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다.- 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비
트랜지스터나 다이오드를 개별 소자라고 부르는 것에 비해 소자들을 모은 반도체를 집적회로라고 한다. 집적회로는 플래너(Planar) 기술이 개발된 이래 눈부시게 발전하였다. 플래너 기술이란 웨이퍼라고 하는 평평한 반도체판 표면에 트랜지스터 등의 소자를 새겨 넣는 것을 말한다. 이 집적회로 기술
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비
Ⅰ. 게이트와 트랜지스터논리게이트
1. 부정회로(NOT)
1을 입력하면 0을 출력하고 0을 입력하면 1을 출력하는 반전회로를 말한다. 그러므로 일명 보수회로, 또는 인버터(inverter)회로라고 부른다. 그림 5의 회로에서 스위치 를 닫으면 +10[V]의 바이어스전압에 따라 전류가 흐르고 트랜지스터의 베이스를