터널다이오드트랜지스터의 동작(작동)
에사끼는 터널이론을 적용하여 특수한 반도체 성질을 규명하였다. 터널 현상은 다수 반송자에 의한 효과이다. 반송자의 터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. -고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다.- 그러나 단위시간당 양자적
HEMT소자의 단면을 보여주고 있다. 위의 오른쪽 그림은 게이트에 수직 방향으로의 에너지 밴드 다이어그램을 보여준다. 이종 접합이 형성될 때, 전도대 가장자리 에 불연속이 생긴다. 이것은 MOSFET에서 반도체와 산화막 사이의 에너지 장벽과 유사하다. 따라서 두 개의 서로 다른 반도체 간의 경계면에 채
금속의 경우는 구리의 예를 보면, 캐리어는 구리 원자 외각에서 이탈하여 구리 결정체 속을 자유롭게 이동할 수 있는 전자(電子)들이다.
반도체의 경우도 결정 속을 이동하는 이와 같은 전자가 캐리어가 된다. 이것을 전자전도(電子傳導)라고 한다. 전자전도는 반도체의 전기전도의 한 특징이다. 반도
2)발광 다이오드(LED)
회로 기호는 전류를 순방향으로 흘렸을 때에 발광하는 다이오드이다.
발광 다이오드는 여러 종류가 있으므로 용도에 맞추어 선택할 수 있다. 주로 적색, 녹색이 많지만, 청색을 발광하는 LED도 있다.
발광 다이오드의 극성의 확인 방법은 신품의 경우에는 리드선이 긴 쪽이
반도체는 여러 가지 특징을 가지고 있으므로 이것들을 이용하여 특별한 성능을 가진 부품을 만들 수 있다. 집적회로는 사진기술과 밀접히 연관 개인용 컴퓨터나 핸드폰처럼 제품을 소형으로 만들 수 있는 것은 바로 집적화 기술 덕분이다. 트랜지스터나 다이오드를 개별 소자라고 부르는 것에 비해 소