[트랜지스터 동작(작동)][터널다이오드]터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동), 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동), 이미터 트랜지스터의 동작(작동), 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동) 분석
![[트랜지스터 동작(작동)][터널다이오드]터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동), 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동), 이미터 트랜지스터의 동작(작동), 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동) 분석-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/631/630959-0001.gif)
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분야
hwpⅡ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅲ. 금속산화막반도체 트랜지스터의 동작(작동)
1. Depletion MOS FET
2. Enhancement type
Ⅳ. 이미터 트랜지스터의 동작(작동)
Ⅴ. 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)의 동작(작동)
참고문헌
수조의 물을 자유전자로 생각하면 이 상태에서는 물을 좌측 수조로 옮길 수 없다. 그래서 좌측 수조를 조금위로 올리면서 수면이 벽보다 위에 있도록 하고 우측 수조의 높이를 훨씬 아래에 둔다. 이렇게 하면 물을 벽을 타고 흘러 우측수조로 신나게 떨어진다. 이와 같은 모형에서 좌측 수조 물이 모드 벽을 지나서 우측으로 낙하하므로 전류 증폭률은 1된다고 생각들만 물은 벽의 구멍으로 인해 조금씩 손실된다. 이 를 1에 가깝게 만들기 위해서는 벽 길이를 짧게(베이스 폭을 얇게), 구멍을 작게(결정 결합이 적게), 구멍의 수(접합 표면을 청결하게)를 적게 하면 된다는 것을 어느 누구나 알 수 있을 것이다.
≪ … 중 략 … ≫
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(작동)
에사끼는 터널이론을 적용하여 특수한 반도체 성질을 규명하였다. 터널 현상은 다수 반송자에 의한 효과이다. 반송자의 터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. -고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다.- 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과는 일치하였다.
노용한(1996), 금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양대학교
장수환(2010), 질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향, 한국화학공학회
장야극방 저, 김철주 역(1986), 집적회로공학, 경문사
Hiroshi Okuzawa 저, 양해권 역(1997), 트랜지스터기초, 기다리
