Absorption: 외부에서 photon이 흡수되는 과정으로, semiconductor의 bandgap보다 큰 에너지를 가지는 경우에만 흡수 된다. 단 bandgap보다 너무 큰 경우는 auger electron을 생성하므로 실질적인 absorption을 일으키지 못한다.
Generation: absorption으로 electron이 excite 되면서 electron-hole pair가 생성된다
Separation: 이 두 carrier들
Free(wannier-mott)
Radius >> a(exciton Bohr radius)
Small binding energy :~ 0.01 eV
Delocalized states
Move freely through crystal
(semiconductors)
Tighthly-bound(Frenkel)
Radius ~ a(exciton Bohr radius)
large binding energy : 0.1 -1.0 eV
localized on one lattice site
Moving by hopping
(insulators and molecules)
Eadd = △E + Ec
Ec = e2/C
C = 2πεεod
(depend on geometr
1. 인터넷 주소 체계 중에서 도메인 네임(Domain Name)은, 통상 네 묶음의 문자열(String)을 점(dot 혹은 period)으로 구분해서 표기하는 방법을 주로 사용한다. “서버 명칭”.“관리기관의 이름”.“관리기관의 성격”.“국가명”의 순서로 영문 약자를 이용해서 기술(記述; description)하는 방식을 따른다. 우리
5. 프로젝트 목표 :
웹 문서를 해석하여 주요 내용만을 추출한 후, LED에 추출된 내용과 사용자가 지정한 텍스트를 다양한 방식으로 디스플레이할 수 있는 디스플레이어를 개발한다. 소형 점포(슈퍼마켓, 편의점 등)에서 활용할 수 있는 광고 LED 전광판의 프로토타입을 개발한다. 본 과제의 전광판은 웹
dot
2.1 Quantum dot 정의
반도체 Quantum dot (QD)은 band gap이 서로 다른 두 물질 중 band gap이 좁은 물질을 band gap이 넓은 물질 내에 de Broglie 파장 정도의 크기가 되도록 성장 및 조작을 한 반도체 구조이다. 이렇게 형성 된 QD는 band gap이 반도체 내의 전자와 정공 모두의 움직임을 3차원적으로 제한하게 되며
②White emission using mixtures of CdSe quantum dots and PMMA as a phosphor
This paper explain WLED that have mixture stucture (one single chip(emit blue light) and cdse/PMMA quantum dots). CdSe quantum dots are synthesized by the wet chemical method using CdO and Se powder as precursor. And they control the size of quantum dot and mix the phospors(PMMA).
These quantum dots have three differe
optical and electrical properties
Quantum confinement effects
luminescence of semiconductor
CdSe nanoparticles of different sizes
광반도체 재료로서 우수한 특성을 가짐
(Quantum confinement effects)
양자 구속효과에 대란 상태밀도 a. 벌크(3D) b. 양자우물(2D) c. 양자점(0D)
Quantum dot LEDs, LED
기존의 LED와 Quantum dot LED
: two metal depositions followed by an oxidation and a further metal deposition from a different angle form an overlap of two stripes
Why GaAs quantum dot ?
Proper quantum dot size enough to be placed between source and drain by using templates-based technique
2) Band gap of GaAs (1.42eV~1.52eV) higher than basic thermal energy (0.0259eV)
3) GaAs quantum dot has Coulomb blockade
패션 코디네이션의 요소
패션코디네이션의 요소는 패션 코디네이션을 위해 필요한 부분들로 각 요소를 응용하거나 조합하여 이미지 연출.
패션 코디네이션의 요소, 점(dot),선(line),형태(Form),색상(Color), 소재(Material)등 .
패션 코디네이션 형태를 실루엣(Silhouette), 디테일(Detail), 트리밍(Trimming) 등으로