InGaAs 채널에서 보다 높은 이동도를 가진다.
• InP 기반-HEMT : InGaAs에서 보다 높은 Induim fraction을 가진다.
• Metamorphic_HEMT : GaAs 기판위에 InP에피층을 성장시켜서 GaAs 기반의 공정기술을 적용하여 InP HEMT와 버금가는 특성을 얻는 것이 가능하다.
HEMT는 잡음이 적으므로 위성방송 수신기나 가정용
InGaAs 쇼트
키 다이오드 검출기 등이 있다. 이중에서 In
GaAs 쇼트키 다이오드 검출기는 검출 시 바이어스를 인가하지 않기 때문에 낮은 소비전력을 가지는 장점을 가지고 있으며, 200×20
0 μm2 크기를 가진 square-spiral 안테나 사용으로 어레이 크기가 작기 때문에 소형의 테라헤르츠 이미지 스캐너에 적용 가
InGaAs계, InP계, GaN계 등 모든 반도체의 n타입이나 p타입 판정 등을 측정하는 방법으로 여러 가지 반도체 재료의 전기적 특성을 조사하고 분석하는데 핵심적인 기술이 되었다. 우리 주변 실생활에서 Hall Effect는 비디오테이프의 움직임을 감지하는 VCR헤더에 사용 된다. 그래서 테이프가 완만하게 작동할 때
1. 서론
정보 통신 기술의 발전은 일상의 모든 것들을 변화시켜왔다. 클릭 한 번으로 원하는 정보에 도달 할 수 있는 컴퓨터와 장소 제약 없이 커뮤니케이션 할 수 있는 이동전화의 등장은 물리적 이동 없이도 정보의 확산이 가능하게 하였다. 특히, 손 안의 컴퓨터라고 불리는 스마트폰의 등장은 이