방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게
방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게
실험 목표
SiO₂ 산화층 두께에 따른
MOS capacitor의 C-V, I-VCurve를 측정하고
그 결과 값을 분석하여 이해한다.
실험조건
독립 변인 : Au & Ti 전극
SiO2 산화층의 두께(100, 200, 300nm)
(2) 통제 변인 :전극의 직경(2mm)
전극의 두께(50nm)
실험과정
1. P-type의 Si wafer를 준비한다
2. 화학 용액으로 wafer 표면에
석유, 석탄, 천연가스 등의 화석에너지 자원들은 고갈되고 있고, 시대가 지나면서 에너지 문제의 중요성은 더욱 증가되어 에너지 안보 문제가 심각하다. 우리나라는 2009년도 기준 에너지 해외 의존도가 약 96.2%로 세계 에너지 시장의 변화에 취약한 구조를 가지고 있다. 특히 중동 지역의 의존도가 2008년