실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feeder)에 충돌한다. 열전자의 높은 에너지 때문에 ingot은 증발하게 되고 이것이 다시 기판위에 증착된다. 이 과정은 모두 진공펌프에 의해 UHV(Ultra High Vacuum)에서 이루어진다. ingot의
재료의 얇은 막을 씌워 올린다. MOS의 경우에는 silicon(반도체) 위에 oxide(산화물, 유전체) 그리고 그 위에 metal을 올리는 것이다. 이러한 공정의 종류와 방법은 주로 화학적이냐 물리적이냐에 따라 크게 두 카테고리로 나뉜다.
그림. 4 박막 공정의 종류
1) Chemical Deposition
유체(액체, 기체) precursor
재료이다.
PR 그림
Spinner 장치
Spinner라는 회전을 하는 장치 위에 웨이퍼를 올려놓고 웨이퍼위에 PR을 떨어뜨리는데 위에 약 2~200Å의 두께로 층을 형성하기 위해서는 약 3000rpm의 속도로 회전시키면서 떨어뜨린다.
광막증착에는 Positive와 Negative방식 등이 있는데 Negative Resist는 노출되
C-V그래프의 예상되는 결과를 살펴보기 위해 capacitance를 구하는 식을 살펴보면 다음과 같다.
(k=유전상수, A= 도체판의 단면적, d=절연체의 두께)
Capacitor의 내부를 살펴보면 대전된 도체판에 의해 두 도체판사이의 절연체에 전하가 유도된다. 이 유도된 전하는 절연체의 유전율(permitivity)를 결정하며 모든