RIE Apparatus
Plasma Etching system
주로 화학적인 반응에 의해 에칭 진행
이온의 충돌에 의한 이방성 에칭이 되기 어려움
아래 위 두 전극의 크기는 거의 같이 보이지만
반응관 벽면은 접지되어 있으므로
RF가 인가되는 전극에 비해 웨이퍼가 올려져 있는 접지된 전극의 면적이 훨씬 크다.
Reactive Ion Et
Dip-pen Lithography
1. 서론
과학의 방향이 원자 크기대의 극소형의 것을 대상으로 하게 됨에 따라 이들을 관찰하고 조작하고 또 그 성질과 양을 이해하기 위해서는 나노 테크놀로지를 필요로 하게 되었다. 이러한 나노 테크놀로지는 1982년 스위스의 Binnig Rhorer 박사가 개발한 Scanning tunneling microscopy(STM
Light Emitting Diode (발광 다이오드)란 다수 캐리어가 전자인
n-type 반도체 결정과, 다수 캐리어가 정공인 p-type 반도체 결정이
서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 화합물
반도체의 특성을 이용해 전기신호를 원하는 파장 대역을(적외선-
가시광선-자외선) 갖는 빛으로 변환시켜 신호
of metastasis on the lung parenchyma.
Subsegmental collapses at the RML and Lt. lingular segment. No change of a tiny nodule in RML, suggest granuloma.
No lymph node enlargements on hilum, mediastinum and supraclavicular fossa.
The upper abdomen is not remarkable.
IMP: Newly developed minimal pleural reaction, cause uncertain.
10. Lab data
일반혈
and ZnO/Ge slices (99.999%, purity), (Mol 10:2) powders were used as the source materials for growth ofthe Sn- and Ge-doped ZnO films, respectively. The ZnO/SnO2 powder was placed on an alumina boat and inserted into a horizontal tube furnace, in order to serve as the evaporation source. Silicon substrate, which had been etched with a solution of HF (43%) and de-ionized water (1:10) for 10 min,