penNanolithography(DPN)기술이다.
2. Dip-pen lithography의 원리
앞서 기술한 AFM(atomic force microscope)은 대기 중에서 측정할 때 tip과 표면 사이에 아주 작은 모세관이 형성된다. 이는 실제 표면을 분석하는데 어려움을 주고 있다. 하지만 이를 이용하여 기판과 tip에 존재하는 분자들의 화학적 결합을 통하여 기
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
Nano Imprint Lithography)는 열 또는 UV를 소스(source)로하여 레지스트(resist)의 유동성을 이용해서 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기존의 Deep UV, EUV, X-ray를 사용한 방법보다 비용이 저렴하며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
2. 본론
⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리
나노 임
1. 서론
나노 기술이란 ‘나노미터 크기의 물질들이 갖는 독특한 성질과 현상을 찾아내고 이러한 성질을 갖는 나노물질을 정렬시키고 조합하여 매우 유용한 성질의 소재, 디바이스 그리고 시스템을 생산하는 과학과 기술’을 말한다. Nano imprint lithography(이하 NIL)는 이러한 나노 기술을 이용하여 초미