분야
hwp1. 부정회로(NOT)
2. NAND 회로
3. NOR회로
Ⅱ. 게이트와 NAND(부정 논리곱 회로)게이트
1. N입력 NAND 게이트의 모든 입력을 연결시켜서 1 입력 NAND 게이트를 만들면 이것이 곧 NOT 게이트가 된다
2. NAND 게이트에 NOT 게이트를 직렬로 연결하면 AND 게이트와 같이 된다
3. 세 개의 NAND 게이트를 연결하면 OR 게이트를 얻을 수 있다
Ⅲ. 게이트와 TTL(트랜지스터 트랜지스터 논리회로)게이트
Ⅳ. 게이트와 OR(논리합회로)게이트
Ⅴ. 게이트와 XOR(베타적 논리합)게이트
Ⅵ. 게이트와 게이트웨이
1. WAP 모듈
2. WAP/UPnP 정합 모듈
3. UPnP 모듈
1) 발견(Discovery)
2) 명세(Description)
3) 제어(Control)
4. 결과(Eventing)
5. 보고(Presentation)
참고문헌
1. 부정회로(NOT)
1을 입력하면 0을 출력하고 0을 입력하면 1을 출력하는 반전회로를 말한다. 그러므로 일명 보수회로, 또는 인버터(inverter)회로라고 부른다. 그림 5의 회로에서 스위치 를 닫으면 +10[V]의 바이어스전압에 따라 전류가 흐르고 트랜지스터의 베이스를 통하여 이미터로 흐르면 콜렉터와 이미터 사이가 연결되므로 +10[V]의 전원전압에 의해 전류는 저항 RL을 통해서 트랜지스터의 컬렉터와 이미터에 흐르기 때문에 에는 전류가 흐르지 못해 0[V]가 된다.
2. NAND 회로
NAND회로는 부정회로와 AND회로를 조합해서 만들 수 있다. 물론 앞에서 설명한 부정회로의 동작과 AND회로의 동작을 조합해 놓은 것이다.
먼저 입력단자 A와 B에 낮은 신호전압 0[V]가 가해지면 다이오드 과 에 순방향 상태가 되어 도통상태가 이루어진다. 이 때 전원전압 +10[V]로부터 입력 측의 A, B쪽으로 전류가 흐르기 때문에 트랜지스터의 베이스 쪽에는 낮은 전압 0[V]가 된다.
이 전압은 베이스에 역방향 상태로 걸리기 때문에 트랜지스터가 차단상태가 되어 동작을 못한다. 이 때 전원전압 +10[V]가 컬렉터 저항을 통해서 출력 단자 Z에 그대로 출력된다.
김희석(2000), 이근만 저논리회로 실험(TTL 게이트와 PLD를 이용한), 에드텍
김상진(1990), 디지탈 IC의 활용(게이트에서 마이컴까지), 집문당
문경주(2010), 분산전원 운용을 위한 통신 게이트웨이 개발, 명지대학교
이옥란(2008), 논리 및 부울대수에 관한 연구, 인제대학교
정문영(1997), 다중 게이트 단일전자 트랜지스터 논리회로 설계 및 시뮬레이션, 포항공과대학교
