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hwp리소그래피(Lithography)는 반도체 직접회로를 만들 때 회로의 패턴을 기록하는 방식, 즉 전사(傳寫 : 배껴적음) 기법을 말한다. 고직접회로가 가능하게 된 것은 크고 복잡한 전자 회로를 아주 작은 크기로 축소하여 실리콘 웨이퍼 위에 옮길 수 있게 되면서다.
리소그래피 기본 원리는 우리가 사진을 찍는 것과 비슷하다. 우리는 카메라 렌즈를 작동시켜 큰 집과 사람과 나무를 한 장의 인화지 속에 축소하여 나타낼 수 있다. 마찬가지로 구조가 크고 복잡한 회로의 설계 패턴을 웨이퍼라는 인화지 위에 모양 그대로 그러나 크기는 아주 작게 옮겨 나타낼 수 있다. 마찬가지로 구조가 크고 복잡한 회로의 설계 패턴을 웨이퍼라는 인화지 위에 모양 그대로 그러나 크기는 아주 작게 옮겨 나타낼 수 있다.
직접도가 높지 않았던 초기에는 사진처럼 빛을 이용하는 광 리소그래피였다. 그러나 빛을 이용하는 광학현미경으로는 작은 것을 들여다보는 데 한계가 있기 때문에 전자현미경을 사용하는 것처럼, 집적도와 축소율이 높아짐에 따라 최근에는 빛보다 파장이 짧은 X선이나 전자빔을 사용하는 X선 리소그래피와 전자빔 리소그래피를 이용해서 반도체 만드는 것을 연구하고 있다.
출처 : 한국의 월드 베스트 : 세계 1위 메이드 인 코리아, 반도체
기계硏, 나노 리소그래피 기술 개발
반도체 표면에 선폭 50nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)급의 미세 패턴(사진)을 대량 제작할 수 있는 차세대 기술과 관련 장비를 국내 연구진이 개발했다.
한국기계연구원 나노공정장비 연구센터장 이응숙(李應淑·47) 박사는 “현재 반도체 미세회로 제작에 쓰이는 광 리소그래피 기술을 대신할 수 있는 ‘자외선 나노 임프린트 리소그래피 기술’을 개발했다”고 15일 밝혔다.
이 기술은 1996년 미국 프린스턴대 연구팀이 제안한 것으로 경제적으로 나노 구조물을 제작할 수 있는 첨단 기술로 알려져 있다.
이 박사팀은 반도체 웨이퍼 위에 미세한 전자회로를 제작하는 공정에 광 기술 대신 이 기술을 적용해 선폭 50nm의 미세 패턴을 만들 수 있다는 사실을 입증했다.
이 박사는 “기존 광 리소그래피 기술로는 선폭 50nm를 구현하기 힘들다”고 설명했다.
이 기술은 진공이 아닌 대기압 상태에서 한 번에 가로세로가 각각 10cm 이상인 면적의 반도체 미세회로를 만드는 데 쓰일 수 있다는 평가다.
