![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0001.gif)
![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0002.gif)
![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0003.gif)
![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0004.gif)
![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0005.gif)
![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0006.gif)
![[디스플레이실험] 입자측정(클린룸)보고서-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/213/212322-0007.gif)
분야
hwp2. 입자 측정 장비
3.공정오염 입자 제거방법
4.클린룸 평가
5. 실험 결과 및 고찰
1.공정입자의 발생원인과 그로인한 영향
우선 원인으로 공정과정중 작업자의 호흡과 땀등으로 통한 입자 발생을 꼽을 수 있다. 이러한 원인으로 인하여 NH3,탄화수소 등의 입자가 발생하게 되는데 이로인해 공정입자가 발생하게 된다. 또한 clean room을 구성하는 콘크리트나 내부에 존재하는 기구들의 재질에서 나오는 NH3등의 입자들이 대기중으로 나오게되면서 오염을 일으키는 원인이 되기도한다.
입자들의 대부분은 제조 공정 동안 반도체 장비, 분위기, 각종 가스류, 화학용액 및 탈이온수 등으로부터 실리콘 기판 표면에 오염된다. 이와 같은 입자들로 인한 오염은 lithography 공정에서는 패턴 결함을, 박막 형성 공정에서는 파티클의 분산에 의한 Pinhole과 microvoid와 같은 결함을, 이온 주입 공정에서는 매스킹에 의한 결함을 그리고 소자 배선 상에서 소자의 작동을 방해하는 등 소자 특성 불량의 원인이 된다. 또한 입자 수가 증가할수록 게이트 산화막의 절연막 파괴 전압이 감소되어 그 신뢰성과 수율이 저하되는 원인이 되고 있다. 따라서 입자들은 반도체 소자의 수율에 가장 큰 영향을 주는 것 중의 하나로 여겨지고 있다. 또한 LCD, PDP공정에서의 입자오염으로 인한 발광효율 및 불량셀의 원인이 된다.
