![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0001.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0002.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0003.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0004.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0005.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0006.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0007.gif)
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![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0009.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0010.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0011.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0012.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0013.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0014.gif)
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![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0016.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-17](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0017.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0018.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0019.gif)
![[반도체공학] 플라즈마 식각 기술-20](http://images.happyhaksul.com/thumb/420/419457-0020.gif)
분야
hwp1. 플라즈마란?
2. 플라즈마의 활용
Ⅱ. 본 론
1-1. 플라즈마의 발생원리
1-2. 플라즈마의 특성
2-1. 직류 플라즈마, 교류 플라즈마
2-2. ICP
2-3. Radical 이란?
3-1. Wet etching VS. Dry etching
3-2. 플라즈마 etching mechanism
3-3. 플라즈마 Etching
3-4. 비이상적인 etching 현상
4-1. 식각을 결정하는 두 요소
4-2. 대기압 플라즈마, 진공 플라즈마
Ⅲ. 관련 특허기술
Ⅳ. 결 론
Ⅴ. Reference
cathode 및 anode 주변의 어두운 경계지역
2) Cathode layer, Anode layer
이온의 전극에서의 neutralization 으로 photon 방출 지역
3) Negative glow
가스의 ionization 및 excitation 이 가장 많이 밝은 지역
4) Faraday dark space
가스 이온화와 감소 지역, 약간 어두운 지역
5) Positive column
전기장에 의해 전자가 재가속 되며 이온화 및 recombination 이 평형을
이루는 지역 , 관의 길이가 증가하면 positive column 이 지속적인 증가를 함
교류 플라즈마
교류 플라즈마의 필요성
전극에 절연체( SiO2, Al2O3 등) 존재시
-> Insulator sputter deposition
Plasma 식각에서의 오염 방지의 목적
-> 전극을 절연체로 둘러쌈
Gas 의 분해율 향상
-> Reactive Processing
RF 에서의 부가적인 ionization source
- 플라즈마 내의 전기장의 침투로 인한 전자의 진동
-> 이 자기장 에 의해 전자가 에너지를 얻음
전극은 방전에 의해 발생한 플라즈마와 접촉할 필요가 없음
-> 깨끗한 플라즈마와 사용 가스의 선택에서 자유로움
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의 유도전기장 발생
플라즈마 내 전자가 전기장 방향 따라 가속되어 에너지 얻음
고밀도 플라즈마 형성
3) ICP의 장단점
4) Helical 공명장치
ICP의 한 형태(차이점 : 공진을 이용)
나선형 공진기(helical resonator)가 Mhz
주파수 영역에서 작동
저압 플라즈마의 생성
장점
플라즈마 물리공학. 박덕규. 청문각. 2005.
소재분석 및 증착 실무. 은상원 외 3명. 상학당. 2007.
공정 플라즈마 기초와 응용. 정진욱. 청문각. 2003.
플라즈마. 나노생산기술연구센터 (연세대 공과대학 기계공학부). 2003.
플라즈마 식각기술. 염근영. 문운당. 2005.
http://psel.snu.ac.kr
http://www-ph.postech.ac.kr
