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분야
hwp1. 서 론
1. 1
1. 2 그래핀(grephene)이란?
1. 3
2. 본 론
2. 1. 그래핀의 제법
2. 2. 그래핀의 특징
1) 그래핀의 분자형태
2) 그래핀의 Mechanical properties
3) 그래핀의 Electrical properties
4) 그래핀의 Thermal Properties
5) 반정수적인 양자 홀 효과
6) 매우 얇은 두께와 뛰어난 유연성
2.3 그래핀의 응용
1) 그래핀의 센서 응용
2) 그래핀의 투명전극 응용
3. 결 론
4. Reference
그래핀을 얻는 방법은 크게 물리적 방법과 화학적 방법으로 나눌 수 있다.
물리적 방법은 바로 graphitic material로부터 박리하는 방법이다.
접착성이 있는 테이프 위에 흑연조각을 올리고 테이프를 한번 접었다 떼면 접착성에 의해 흑연이 묻어나와 둘로 나뉜다. 이렇게 붙였다 떼었다 하는 과정을 반복하면 매우 얇은 막을 얻을수 있는데 이 얇은 막이 바로 그래핀이다. 이 방법을 scotch tape method 또는 drawing method라 부른다. 그래핀이 발견되기 이전까지만 해도 원자하나의 두께를 가지고 있는 평면은 열역학적으로 매우 불안정해 존재할 수 없다고 여겼었다. 그러나 높은 crystal quality를 가지고 있고 상온에서 화학적으로 안정한 그래핀의 발견 후 그래핀에 대한 관심과 연구가 늘어났다.
화학적인 방법은 첫째로, Silicon carbide와 같은 단결정의 표면 위에 epitaxial growth 시키는 방법이다. Silicon Carbide를 1100℃이상으로 가열시키면 이것이 그래핀으로 환원된다. 이때, 사용되는 Silicon carbide의 표면에 의해 그래핀의 두께, mobility, carrier density 등에 큰 영향을 미친다.
또 다른 방법으로는 metal substrate를 이용해 epitaxial growth 시킬 수 있다. metal substrate를 seed로 하여 그래핀을 성장시키는데 예를 들어 iridium을 사용하면, iridium 위에 성장된 그래핀은 매우 약하게 결합되어있어 균일한 두께의 highly ordered 된 그래핀이 만들어 진다. Nickel film위에 Chemical Vapor Deposition(CVD)을 시키면 고품질의 그래핀을 만들 수 있지만, 1000℃ 이상의 고온에서 생성시켜야 하기 때문에 제조시간이 길다는 단점이 있다.
Graphite oxide를 환원시켜서 그래핀을 얻을 수도 있다. 이 방법은 흑연을 산화시킨 후 잘게 쪼갠 뒤 환원제를 넣어 그래핀으로 환원하는 방식으로, 우리나라에서는
4. Reference
∎ http://sjerng.egloos.com/4167152
∎ The rising of graphene, A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nature Materials 6, 183 (2007)
∎ Carbon wonderland, Andre K. Geim and Philip Kim, Scientific American Magazine April, 90 (2008)
∎ 그래핀, 손영우, 물리학과 첨단기술 October, 40 (2008)
∎ http://en.wikipedia.org/wiki/Graphene
X. Wang, et al., Science 324, 768 (2009).
P. K. Ang, W. Chen, A. T. S. Wee, and K. P. Loh, “Solution-gated
epitaxial graphene as pH sensor”, J. Am. Chem. Soc. 130, 14392
(2008).
Y. Ohno, K. Maehashi, Y. Yamashiro, and K. Matsumoto,
“Electrolyte-Gated Graphene Field-Effect Transistors for Detecting pH
Protein Adsorption”, Nano Lett. 9, 3318 (2009).
