![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0001.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0002.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0003.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0004.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0005.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0006.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0007.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0008.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0009.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0010.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0011.gif)
![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0012.gif)
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![[전자재료실험] 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/536/535068-0015.gif)
분야
hwp1. 실험목적
2. 실험배경
3. 실험이론
① Capacitor(커패시터)
② MOS Capacitor 의 구조와 원리
③ PVD(Physical Vapor Deposition)
4. 실험장비
① E-Beam Evaporator
② Thermal Evaporator
③ 프로브 스테이션
④ RTA : Rapid Thermal Annealer
5. 실험방법
① Preparing
② Cleaning
③ SiO2 증착 (E-beam evaporator)
④ Metal 증착 (Thermal evaporator)
⑤ 열처리(Rapid Thermal annealing)
⑥ 반대전극 형성
⑦ Analyzing
6. 실험결과분석
1) 이상적인 실험 결과
① 저주파와 고주파의 차이
② 열처리 후 C-V, I-V 그래프의 변화
2) 실험결과
3) 오차의 원인
① Wafer cleaning의 부족
② E-beam Evaporator 사용에 따른 오차원인
7. 참고문헌
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막 증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하며 3, 4 인치 웨이퍼를 비롯하여 여러 가지 시편 위에 박막 증착이 가능하다. 고진공에 놓은 용기 속에서 증착될 물체와 그 표면에 부착시키려는 금속 등의 입자를 넣어 둔 다음, 히터에 전류를 흘러서 가열함으로써 그 금속 입자를 증발시키면 차가운 물체 표면에 응축해서 부착하는 것을 이용하여 붙이는 방식이다. 이 때 시료를 가열하는 부분인 증발원의 재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰인다. 증발원에 전류를 흘려보내면 저항에 의해 가열이 되는데 이때 시료는 녹게 되고 결국 증발하게 되는 것이다. 증발원 재료는 고온에서 증발원의 재료와 박막재료가 반응이나 확산을 일으키지 않는 재료를 사용하게 된다. 또한 녹는점이 높아야 하고 열에 의한 변형정도가 작아야 한다. 증발원은 끊어지지 않아야 하기 때문이다.
● 고체전자공학 제6판, 벤스트리트만, p288-p309 (Primary reference)
● 열처리 조건에 따른 HfO2/Hf/Si 박막의 MOS 커패시티 특성, 이대감, 도승우 외 3명, 경북대학교, 위덕대학교 (MOS Capacitor)
● WIKIPEDIA The Free Encyclopedia (ALD)
● www.tectra.de E-Beam Evaporator Manual, Ver. 2.2, 한만희, 이강원
(E-Beam Evaporator)
● 금속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과, 박현우, 장현룡, 황호정, 중앙대학교 전자공학과 (열처리 효과_
● 그 외의 참고문헌
- http://npl.postech.ac.kr/?mid=topic_nanopattern
- Nanodevice Laboratory Hyungjun Kim's Research Group -Nano Deposition
- http://www.icmm.csic.es/fis/english/evaporacion.html
- http://en.wikipedia.org/wiki/Evaporation_(deposition)
